講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-06-29 11:35
MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振 ○橋本 玲・櫛部光弘・江崎瑞仙(東芝/東大)・西岡政雄・荒川泰彦(東大) OPE2007-21 LQE2007-22 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2007-21 LQE2007-22 |
抄録 |
(和) |
GaAs基板上の量子ドットレーザは,温度無依存性や高速変調時の波長チャープが小さい等の特徴から,高性能な光通信用1.3μm帯光源として研究が進められている.今回我々は,MOCVD法による量子ドットレーザの作製において,InAs量子ドットの歪み緩和層にGaInNAs層を用いることで発振波長の長波長化を試み,波長1.31μmにおける低しきい値での室温連続発振を達成した. |
(英) |
Quantum dot laser on GaAs substrates is attractive device for 1.3 μm and 1.55 μm optical fiber communication because of its theoretically predicted properties, such as low threshold current density, high temperature stability and high-frequency modulation. We have developed GaInNAs embedded InAs QD lasers on GaAs substrate grown by MOCVD, and achieved a 1.31 μm room temperature continuous wave lasing operation. |
キーワード |
(和) |
量子ドット / レーザ / GaAs基板 / GaInNAs / InAs / 1.3μm / / |
(英) |
Quantum Dot / Laser / GaAs substrate / GaInNAs / InAs / 1.3μm / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 125, LQE2007-22, pp. 23-28, 2007年6月. |
資料番号 |
LQE2007-22 |
発行日 |
2007-06-22 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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