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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-29 11:35 MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振 ○橋本 玲・櫛部光弘・江崎瑞仙（東芝/東大）・西岡政雄・荒川泰彦（東大）  OPE2007-21 LQE2007-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2007-21 LQE2007-22 |
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| 抄録 | （和） | GaAs基板上の量子ドットレーザは，温度無依存性や高速変調時の波長チャープが小さい等の特徴から，高性能な光通信用1.3μm帯光源として研究が進められている．今回我々は，MOCVD法による量子ドットレーザの作製において，InAs量子ドットの歪み緩和層にGaInNAs層を用いることで発振波長の長波長化を試み，波長1.31μmにおける低しきい値での室温連続発振を達成した． |
| （英） | Quantum dot laser on GaAs substrates is attractive device for 1.3 μm and 1.55 μm optical fiber communication because of its theoretically predicted properties, such as low threshold current density, high temperature stability and high-frequency modulation． We have developed GaInNAs embedded InAs QD lasers on GaAs substrate grown by MOCVD, and achieved a 1.31 μm room temperature continuous wave lasing operation． | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / レーザ / GaAs基板 / GaInNAs / InAs / 1.3μｍ / / |
| （英） | Quantum Dot / Laser / GaAs substrate / GaInNAs / InAs / 1.3μｍ / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 125, LQE2007-22, pp. 23-28, 2007年6月. | |
| 資料番号 | LQE2007-22 | |
| 発行日 | 2007-06-22 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2007-21 LQE2007-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2007-21 LQE2007-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE |
| 開催期間 | 2007-06-29 - 2007-06-29 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 量子効果デバイス（光信号処理、LD、光増幅、変調等）と集積化技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2007-06-LQE-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Room-temperature continuous wave operation of 1.3 μm InAs quantum dot lasers with GaInNAs embedded layer on GaAs substrate grown by MOCVD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dot |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ / Laser |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs基板 / GaAs substrate |
| キーワード(4)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(5)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(6)（和/英） | 1.3μｍ / 1.3μｍ |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 玲 / Rei Hashimoto / ハシモト レイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝 研究開発センター/東京大学 (略称： 東芝/東大) Corporate R&D Center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba RDC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 櫛部 光弘 / Mitsuhiro Kushibe / クシベ ミツヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝 研究開発センター/東京大学 (略称： 東芝/東大) Corporate R&D Center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba RDC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江崎 瑞仙 / Mizunori Ezaki / エザキ ミズノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝 研究開発センター/東京大学 (略称： 東芝/東大) Corporate R&D Center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba RDC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西岡 政雄 / Masao Nishioka / ニシオカ マサオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター (略称： 東大) Nanoelectronics Collaborative Research Center (略称： NCRC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター (略称： 東大) Nanoelectronics Collaborative Research Center (略称： NCRC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-29 11:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2007-21, LQE2007-22 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.124(OPE), no.125(LQE) |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-06-22 (OPE, LQE) |
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