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| 講演名 |
2007-06-25 13:00
［招待講演］Si single-electron FETs for single-photon detection
○Michiharu Tabe・Ratno Nuryadi・Zainal Burhanudin（Shizuoka Univ.） エレソ技報アーカイブはこちら |
| 抄録 |
（和） |
我々は、Ｓｉデバイスのブレークスルーにとって、３つの要素が重要と考えて研究を進めている。すなわち、単電子の転送制御、単一フォトンおよび単一ドーパントの検出・利用であり、これらは相互に深く関連している。本報告では、単一フォトン検出を中心に、Si多重接合FETを用いた我々の最近の研究結果について述べる。フォトン検出の研究はまだ基礎的段階であるが、従来のアバランシェ・フォトダイオードなどと比べて低電圧動作が可能で、ポストスケーリング技術としての可能性を持っている。 |
| （英） |
We have studied three research aspects as key technologies for breakthrough in Si devices, i.e., time-controlled transfer of individual electrons, detection of single-photons and single-dopants. In this paper, we will present our recent research results primarily on single-photon detection by multi-junction single-electron- or single-hole-tunneling devices. Although single-photon detection by single-electron devices is in the initial stage of basic research, it may open up a new field in post-scaling technologies, since the required voltage is much smaller than conventional avalanche photodiodes. |
| キーワード |
（和） |
Si / 単電子デバイス / 単電子転送 / フォトン検出 / 単一ドーパント / / / |
| （英） |
Si / single-electron device / single-electron transfer / single-photon detection / single-dopant / / / |
| 文献情報 |
信学技報 |
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