| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-06-25 13:00
ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討
○吉岡裕典・木本恒暢（京大） エレソ技報アーカイブはこちら |
| 抄録 |
（和） |
極薄SOIを用いたMOSFETは次世代LSIの有望な候補である。しかしながら、SOIの膜厚が約10 nm以下になると、その移動度は減少することが報告されている。本研究では、極薄SOIを作製し、詳細なホール効果測定を行うことによって、電子と正孔の移動度を調べた。測定は、100 Kから500 Kの温度範囲で行った。また、裏面に電圧を印加することで移動度の電界依存性を調べた。薄膜化は犠牲酸化によって行い、107 nmから3.5 nmの極薄SOIを作製した。これまでの報告と同様に、10 nm以下の極薄SOIにおいては移動度が大きく減少した。この減少は特に低キャリア濃度領域において顕著であった。移動度の温度、キャリア濃度依存性を理論と比較することで、移動度低下の原因となっている散乱要因を検討した。 |
| （英） |
MOSFETs using ultra-thin Silicon-On-Insulator (SOI) are a promising candidate of next generation LSIs. It has been reported, however, that the mobility in ultra-thin SOI decreases when the SOI thickness becomes smaller than about 10 nm. In this study, electron and hole mobilities in thin SOI have been investigated by Hall effect measurements on a back-gated structure in the wide temperature range from 100 K to 500 K. The thickness of SOI has been changed from 107 nm to 3.5 nm by sacrificial oxidation. The mobility has shown significant decrease for SOI thickness smaller than 10 nm, as reported. This mobility degradation is enhanced especially when the carrier concentration is low. Based on these Hall data, carrier scattering mechanism in ultra-thin SOI is discussed. |
| キーワード |
（和） |
シリコン / SOI / 移動度 / ホール効果 / フォノン散乱 / クーロン散乱 / 表面粗さ散乱 / |
| （英） |
Silicon / SOI / mobility / Hall effect / phonon scattering / Coulomb scattering / surface roughness scattering / |
| 文献情報 |
信学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
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| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED SDM |
| 開催期間 |
2007-06-25 - 2007-06-27 |
| 開催地（和） |
Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 |
| 開催地（英） |
Commodore Hotel Gyeongju Chosun, Gyeongju, Korea |
| テーマ（和） |
第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ |
| テーマ（英） |
2007 Asia-Pacific Workshopn on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2007-06-ED-SDM |
| 本文の言語 |
英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） |
ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Investigation of mobility degradation in ultra-thin silicon-on-insulator by Hall effect measurements |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） |
SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） |
移動度 / mobility |
| キーワード(4)（和/英） |
ホール効果 / Hall effect |
| キーワード(5)（和/英） |
フォノン散乱 / phonon scattering |
| キーワード(6)（和/英） |
クーロン散乱 / Coulomb scattering |
| キーワード(7)（和/英） |
表面粗さ散乱 / surface roughness scattering |
| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
吉岡 裕典 / Hironori Yoshioka / ヨシオカ ヒロノリ |
| 第1著者 所属（和/英） |
京都大学 (略称： 京大)
Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第2著者 所属（和/英） |
京都大学 (略称： 京大)
Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第3著者 所属（和/英） |
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| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-06-25 13:00:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
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| 巻番号（vol） |
vol. |
| 号番号（no） |
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| ページ範囲 |
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| ページ数 |
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| 発行日 |
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