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講演抄録/キーワード
講演名 2007-06-16 11:35
Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性
佐藤政孝宮川晋悟工藤尚宏永田翔平田島 卓中村 徹法政大ED2007-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-45
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文献情報 信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-45, pp. 75-78, 2007年6月.
資料番号 ED2007-45 
発行日 2007-06-08 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2007-06-15 - 2007-06-16 
開催地(和) 富山大学 
開催地(英) Toyama Univ. 
テーマ(和) 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor Process, Device, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2007-06-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical and structural properties of Al implanted 4H-SiC 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 政孝 / Masataka Satoh / サトウ マサタカ
第1著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮川 晋悟 / Shingo Miyagawa / ミヤガワ シンゴ
第2著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 尚宏 / Takahiro Kudoh / クドウ タカヒロ
第3著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 翔平 / Shohei Nagata / ナガタ ショウヘイ
第4著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 田島 卓 / Taku Tajima / タジマ タク
第5著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 徹 / Tohru Nakamura / ナカムラ トオル
第6著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-06-16 11:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2007-45 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.95 
ページ範囲 pp.75-78 
ページ数
発行日 2007-06-08 (ED) 


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