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講演抄録/キーワード
講演名 2007-06-08 14:40
ゲルマニウム窒化膜の形成と評価
朽木克博岡本 学細井卓治志村考功安武 潔渡部平司阪大SDM2007-49 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-49
抄録 (和) 高密度プラズマによるGe基板の窒化を行い、アモルファス純窒化膜(Ge$_3$N$_4$)の形成に成功した。350 $^o$Cでプラズマ窒化することにより、表面は平滑であり、非常に急峻な界面を持つ3.5 nmの窒化膜を得た。さらに、我々はGe$_3$N$_4$膜を絶縁膜として、またhigh-k膜との界面層としての応用を目指すうえで、プロセス温度設定に必要となる窒化膜の熱分解温度を調べた。その結果、窒素雰囲気中でアニールすると、550 $^o$Cまでは窒化膜は安定であり、600 $^o$C以上で熱脱離することが確認できた。この結果からGe$_3$N$_4$膜の高い耐熱性が確認でき、Ge-MOSデバイス実現に向けて重要な知見を得ることができた。 
(英) We have investigated the nitridation of germanium substrate by our original high-density plasma source. Pure amorphous Ge$_3$N$_4$ layers without oxygen are obtained by the direct nitridation of clean Ge substrates. The conformal growth with smooth surface and sharp interface can be achieved in the Ge$_3$N$_4$ layers grown at 350 $^o$C, where the thickness of the Ge$_3$N$_4$ layers is 3.5 nm. In addition, in order to apply this Ge nitride to integrate high-k gate dielectrics with Ge and its alloy for FET-based devices, we have also investigated the thermal stability of the Ge nitride layers. As a result, we found that Ge$_3$N$_4$ layers resisted in N2 ambient around 550 $^o$C, and evaporated above 600 $^o$C. These results demonstrate that it is promising as a passivation layer for integrating high-k dielectric on high performance Ge substrate and is expected to shed light on the realization of Ge-based FETs.
キーワード (和) Ge$_3$N$_4$ / プラズマ窒化 / 熱安定性 / / / / /  
(英) Ge$_3$N$_4$ / Plasma Nitridation / Thermal Stability / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-49, pp. 97-100, 2007年6月.
資料番号 SDM2007-49 
発行日 2007-05-31 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2007-49 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-49

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2007-06-07 - 2007-06-08 
開催地(和) 広島大学(学士会館) 
開催地(英) Hiroshima Univ. ( Faculty Club) 
テーマ(和) ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開(案)」との合同開催) 
テーマ(英) Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2007-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Formation and characterization of Ge$_3$N$_4$ thin layers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Ge$_3$N$_4$ / Ge$_3$N$_4$  
キーワード(2)(和/英) プラズマ窒化 / Plasma Nitridation  
キーワード(3)(和/英) 熱安定性 / Thermal Stability  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 朽木 克博 / Katsuhiro Kutsuki / クツキ カツヒロ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 学 / Gaku Okamoto / オカモト ガク
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 安武 潔 / Kiyoshi Yasutake / ヤスタケ キヨシ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2007-06-08 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2007-49 
巻番号(vol) IEICE-107 
号番号(no) no.85 
ページ範囲 pp.97-100 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2007-05-31 


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