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講演抄録／キーワード
講演名 2007-05-24 14:30
ZnO薄膜の高品質化とUVディテクタへの応用
○林　隆雄・中村篤志・天明二郎（静岡大）・ナバーロ トーバー，アルバロ・ムニョス メリノ，エリアス（マドリード工科大）   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 （和） リモートプラズマ励起MOCVD法によりZnO薄膜を成長した。II族原料としてDEZn、VI族原料として酸素ガスを用い、酸素ガスの流量を変化させることによりVI/IIを制御した。VI/IIが小さい場合、ZnO薄膜の表面モホロジーはロッドライクになっているが、VI/IIを大きくすることにより滑らかな表面に変化した。また、VI/IIを変化させることにより、ZnO薄膜のキャリア濃度を5E+18 cm-3 から5E+17 cm-3 まで低減した。MgxZn1-xO UVディテクタを作製し、評価を行った。MgxZn1-xO UVディテクタから優れたカットオフ特性が得られ、波長370nmから350nmまで変化した。 
（英） ZnO thin films were grown by remote plasma enhanced MOCVD. Diethyl zinc (DEZn) were used as group-II source. Oxygen gas were used as group-VI source, and VI/II ratio was controlled by varying flowing quantity of oxygen gas. The surface morphology of ZnO thin film is shape like the rod when VI/II ratio is small. It has changed into a smooth surface by increasing VI/II ratio. And the carrier concentration of ZnO thin film has been decreased from 5E+18 cm-3 to 5E+17 cm-3 by changing VI/II ratio. MgxZn1-xO UV detectors were fabricated and evaluated. An excellent cutoff characteristic was obtained form MgxZn1-xO UV detectors , and wavelength has changed from 370 nm to 350 nm.
キーワード （和） 高品質ZnO 薄膜 / UV ディテクタ / VI/II / 表面モホロジー / キャリア濃度 / / /  
（英） high quality ZnO film / UV detector / VI/II ratio / surface morphology / carrier concentration / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN  
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研究会情報
研究会 SDM ED CPM  
開催期間 2007-05-24 - 2007-05-25 
開催地（和） 静岡大学 浜松キャンパス 
開催地（英） Shizuoka Univ. 
テーマ（和） 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） 
テーマ（英）  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2007-05-SDM-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） ZnO薄膜の高品質化とUVディテクタへの応用 
サブタイトル（和）  
タイトル（英） Growth of high quality ZnO film and application for UV detector 
サブタイトル（英）  
キーワード(1)（和/英） 高品質ZnO 薄膜 / high quality ZnO film  
キーワード(2)（和/英） UV ディテクタ / UV detector  
キーワード(3)（和/英） VI/II / VI/II ratio  
キーワード(4)（和/英） 表面モホロジー / surface morphology  
キーワード(5)（和/英） キャリア濃度 / carrier concentration  
キーワード(6)（和/英） /  
キーワード(7)（和/英） /  
キーワード(8)（和/英） /  
第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 林 隆雄 / Takao Hayashi / ハヤシ タカオ
第1著者 所属（和/英） 静岡大学 (略称： 静岡大)
Shzioka University (略称： Shizuioka Univ.)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 中村 篤志 / Atsushi Nakamura / ナカムラ アツシ
第2著者 所属（和/英） 静岡大学 (略称： 静岡大)
Shzioka University (略称： Shizuioka Univ.)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 天明 二郎 / Jiro temmyo / テンミョウ ジロウ
第3著者 所属（和/英） 静岡大学 (略称： 静岡大)
Shzioka University (略称： Shizuioka Univ.)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） ナバーロ トーバー，アルバロ / Navarro Tober，Alvaro /
第4著者 所属（和/英） マドリッド工科大学 (略称： マドリード工科大)
Universidad politecnica de madrid (略称： UPM)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ） ムニョス メリノ，エリアス / Munoz Merino，Elias /
第5著者 所属（和/英） マドリッド工科大学 (略称： マドリード工科大)
Universidad politecnica de madrid (略称： UPM)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-05-24 14:30:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 ED 
資料番号  
巻番号（vol） vol. 
号番号（no）  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  

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