講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-04-13 11:00
[招待講演]SOIプラットフォーム組み込み用高密度メモリ:Twin transistor RAM(TT-RAM) ○有本和民・森 下玄・林 勇・堂阪勝己(ルネサステクノロジ) ICD2007-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2007-13 |
抄録 |
(和) |
本稿はSOIプラットフォームに適したメモリIPとして標準SOI-CMOSプロセス上に構築可能で、デジタルコンシューマ・モバイル・キャッシュメモリ・グラフィックス等の各種アプリケーションに要求される高速・低消費電力動作をスケーラブルに実現できるTwin transistor RAM(TT-RAM)を開発した。TT-RAMセルを用いた4Mビット試作メモリチップでは、90nmのSOI-CMOSプロセスを用いて、連続データ出力モードにおいて453MHzの高速動作を、さらにはランダムアクセス動作では108mW(@263MHz)の低消費動作(混載DRAM比51%減)を実現できた。さらには10.2mW(@56MHz)の超低消費動作モードも搭載し、これらのモードを単一コアで切り替え可能であることを確認した。 |
(英) |
A high speed/low power dissipation high density Twin transistor RAM(TT-RAM) has been developed as SOI CMOS platform memory IP’s. TT-RAM can also support the scalable functions for many kinds of applications. We developed the 90nm SOI CMOS TT-RAM test device, and confirmed the 453MHz burst operation, 108mW low power operation, and 10.2mW at ultra low power operation mode with multi mode configurable single macro. |
キーワード |
(和) |
SoCプラットフォーム / 高密度メモリ / ボディーフローティングセル / SOIメモリ / / / / |
(英) |
SoC Platform / High density memory / Body floating cell / SOI memory / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-13, pp. 71-76, 2007年4月. |
資料番号 |
ICD2007-13 |
発行日 |
2007-04-05 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ICD2007-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2007-13 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD |
開催期間 |
2007-04-12 - 2007-04-13 |
開催地(和) |
大分県・湯布院・七色の風 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ:堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2007-04-ICD |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
SOIプラットフォーム組み込み用高密度メモリ:Twin transistor RAM(TT-RAM) |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
A high density embedded memory for Soc: Twin transistor RAM(TT-RAM) |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
SoCプラットフォーム / SoC Platform |
キーワード(2)(和/英) |
高密度メモリ / High density memory |
キーワード(3)(和/英) |
ボディーフローティングセル / Body floating cell |
キーワード(4)(和/英) |
SOIメモリ / SOI memory |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
有本 和民 / Kazutami Arimoto / |
第1著者 所属(和/英) |
* (略称: ルネサステクノロジ)
* (略称: Renesas) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
森 下玄 / Fukashi Morishita / |
第2著者 所属(和/英) |
* (略称: ルネサステクノロジ)
* (略称: Renesas) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
林 勇 / Isamu Hayashi / |
第3著者 所属(和/英) |
* (略称: ルネサステクノロジ)
* (略称: Renesas) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
堂阪 勝己 / Katsumi Dosaka / |
第4著者 所属(和/英) |
* (略称: ルネサステクノロジ)
* (略称: Renesas) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2007-04-13 11:00:00 |
発表時間 |
50分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
ICD2007-13 |
巻番号(vol) |
vol.107 |
号番号(no) |
no.1 |
ページ範囲 |
pp.71-76 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2007-04-05 (ICD) |