| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-04-13 13:00 ［招待講演］高速ユニポーラスイッチングRRAM技術 ○細井康成・玉井幸夫・大西哲也・石原数也・渋谷隆広・井上雄史・山崎信夫・中野貴司・大西茂夫・粟屋信義（シャープ）・井上 公・島 久・秋永広幸・高木英典・赤穂博司（産総研）  ICD2007-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-14 |
|
| 抄録 | （和） | プログラム，消去ともに数十ナノ秒以下の同一極性電圧パルスで動作可能なRRAMデバイスをTiONを用いて実現した．このデバイスを1D1Rクロスポイントメモリセル構造に用いた場合，最小メモリセルサイズで高速書き換え可能な不揮発性メモリを実現することができる．本研究では，外部負荷抵抗を切り換えて電圧パルスを印加する事によりRRAM素子抵抗の高抵抗化，低抵抗化を制御できる新しい手法を見出した．さらに，従来のユニポーラスイッチング方法では高速化できない根拠を示し，今回新たに直列負荷抵抗制御による高速ユニポーラスイッチング動作を実証した． |
| （英） | We have successfully achieved high speed (~50 ns) unipolar operation in RRAM devices comprised of titanium oxynitride (TiON) combined with a control resistor connected in series. For unipolar switching, programming and erasing pulses can be the same width, typically, a few tens of nano-seconds. This enables high speed and high density cross-point RRAM memory arrays. In addition, we make clear why conventional unipolar switching mode cannot achieve high speed. Moreover, we demonstrate how switching characteristics can be controlled by a series-connected load resistor. | |
| キーワード | （和） | ＲＲＡＭ / ユニポーラ / 高速 / 負荷抵抗 / 直列抵抗 / １Ｄ１Ｒ / クロスポイント / ＴｉＯＮ |
| （英） | RRAM / unipolar / high Speed / load resistor / series resistor / 1D1R / cross point / TiON | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-14, pp. 77-82, 2007年4月. | |
| 資料番号 | ICD2007-14 | |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2007-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-14 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2007-04-12 - 2007-04-13 |
| 開催地（和） | 大分県・湯布院・七色の風 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ：堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2007-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Speed Unipolar Switching Resistance RAM (RRAM) Technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ＲＲＡＭ / RRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ユニポーラ / unipolar |
| キーワード(3)（和/英） | 高速 / high Speed |
| キーワード(4)（和/英） | 負荷抵抗 / load resistor |
| キーワード(5)（和/英） | 直列抵抗 / series resistor |
| キーワード(6)（和/英） | １Ｄ１Ｒ / 1D1R |
| キーワード(7)（和/英） | クロスポイント / cross point |
| キーワード(8)（和/英） | ＴｉＯＮ / TiON |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細井 康成 / Yasunari Hosoi / ホソイ ヤスナリ |
| 第1著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玉井 幸夫 / Yukio Tamai / タマイ ユキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大西 哲也 / T. Ohnishi / オオニシ テツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 数也 / K. Ishihara / イシハラ カズヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渋谷 隆広 / T. Shibuya / シブヤ タカヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 雄史 / Y. Inoue / イノウエ ユウシ |
| 第6著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 信夫 / S. Yamazaki / ヤマザキ シノブ |
| 第7著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 貴司 / T.Nakano / ナカノ タカシ |
| 第8著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大西 茂夫 / Shigeo Ohnishi / オオニシ シゲオ |
| 第9著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 粟屋 信義 / Nobuyoshi Awaya / アワヤ ノブヨシ |
| 第10著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 公 / I. H. Inoue / イノウエ イサオ |
| 第11著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 強相関電子研究センター (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST(NEDO)) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島 久 / Hisashi Shima / シマ ヒサシ |
| 第12著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST(NEDO)) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋永 広幸 / Hiroyuki Akinaga / アキナガ ヒロユキ |
| 第13著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST(CERC)) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 英典 / Hidenori Takagi / タカギ ヒデノリ |
| 第14著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 強相関電子研究センター (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST(CERC)) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤穂 博司 / Hiroshi Akoh / アコウ ヒロシ |
| 第15著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 強相関電子研究センター (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST(CERC)) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-04-13 13:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2007-14 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]