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講演抄録/キーワード
講演名 2007-04-13 09:40
[招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas Technologyエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2007-11
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) We propose a Wafer Level Burn-In (WLBI) mode, a leak-bit redundancy and a small, highly reliable Cu E-trim fuse repair scheme for an embedded 6T-SRAM to achieve a KGD-SoC. We fabricated a 16M-SRAM with these techniques using 65 nm LSTP technology, and confirmed its efficient operation. The WLBI mode has almost no area penalty and a speed penalty of only 50 psec. The leak-bit redundancy area penalty is less than 2%.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) 6T-SRAM / 65nm CMOS Technology / Known Good Die / Embedded SRAM / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-11, pp. 59-64, 2007年4月.
資料番号 ICD2007-11 
発行日 2007-04-05 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2007-04-12 - 2007-04-13 
開催地(和) 大分県・湯布院・七色の風 
開催地(英)  
テーマ(和) 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ:堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2007-04-ICD 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / 6T-SRAM  
キーワード(2)(和/英) / 65nm CMOS Technology  
キーワード(3)(和/英) / Known Good Die  
キーワード(4)(和/英) / Embedded SRAM  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大林 茂樹 / Shigeki Ohbayashi / オオバヤシ シゲキ
第1著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト
第2著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 和史 / Kazushi Kono / コウノ カズシ
第3著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小田 祐士 / Yuji Oda / オダ ユウジ
第4著者 所属(和/英) (株)シキノハイテック (略称: シキノ)
Shikino High-Tech (略称: Shikino High-Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 今岡 進 / Susumu Imaoka / イマオカ ススム
第5著者 所属(和/英) (株)ルネサスデザイン (略称: ルネサスデザイン)
Renesas Design Corp. (略称: Renesas Design)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 臼井 啓一 / Keiichi Usui / ウスイ ケイイチ
第6著者 所属(和/英) 大王電機(株) (略称: 大王電機)
Daioh Electric (略称: Daioh Electric)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 米津 俊明 / Toshiaki Yonezu / ヨネヅ トシアキ
第7著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩本 猛 / Takeshi Iwamoto / イワモト タケシ
第8著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第9著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ
第10著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒川 政司 / Masashi Arakawa / アラカワ マサシ
第11著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 孝裕 / Takahiro Uchida / ウチダ タカヒロ
第12著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 博之 / Hiroshi Makino / マキノ ヒロシ
第13著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ
第14著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ
第15著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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講演者
発表日時 2007-04-13 09:40:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2007-11 
巻番号(vol) IEICE-107 
号番号(no) no.1 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2007-04-05 


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