講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-04-12 09:00
混載向け高速MRAMセル技術 ○崎村 昇・杉林直彦・根橋竜介・本庄弘明・志村健一・笠井直記(NEC) ICD2007-1 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2007-1 |
抄録 |
(和) |
我々は、次世代のシステムLSIへ混載可能な新しい高速MRAMセル技術を開発した。このセル技術は、?書き込み動作速度を飛躍的に向上できる2T1MTJセル、?読み出し速度を500MHz以上に向上できる5T2MTJセル、?書き込み電流を1mA以下に削減できる書き込み線挿入型MTJである。このセル技術によって、200MHz以上で動作するシステムLSIのSRAMマクロを付加価値の高い不揮発性のMRAMマクロへ置き換えることが実現できる。 |
(英) |
We has succeeded in developing new MRAM cell technology suitable for high-speed memory macro embedded in next generation system LSIs. The new cell technology includes three key elements; a 2T1MTJ cell structure to accelerate write mode cycle time, a 5T2MTJ cell structure to accelerate read mode cycle time and a write-line-inserted MTJ to reduce writing current. It realized added-value, non-volatile MRAM macros that can be substituted for SRAM macros embedded in system LSIs operating at over 200MHz. |
キーワード |
(和) |
MRAM / 混載メモリ / システムLSI / 高速 / / / / |
(英) |
MRAM / Embedded Memories / System LSIs / High-speed / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-1, pp. 1-5, 2007年4月. |
資料番号 |
ICD2007-1 |
発行日 |
2007-04-05 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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