講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-04-12 09:30
STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討 ○上田善寛・岩田佳久・稲場恒夫・清水有威・板垣清太郎・土田賢二(東芝) ICD2007-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2007-2 |
抄録 |
(和) |
本稿ではスピン注入書込み方式による磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)に適したセル電流駆動方式センスアンプを提案する。さらに、セル電流駆動方式センスアンプと、電流電圧変換のための負荷PMOSトランジスタを使用した従来方式センスアンプとの比較検討を行った。STT-MRAMでは、読出しディスターブを回避するため、低読出し電圧での読出し動作を行う必要がある。セル電流駆動方式センスアンプは、低読出し電圧における、高速動作が可能であることを、センスアンプを構成するトランジスタの閾値電圧バラツキと、磁気抵抗素子の抵抗バラツキとを考慮したモンテカルロ・シミュレーションにより示す。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
MRAM / スピン注入 / センスアンプ / / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-2, pp. 7-12, 2007年4月. |
資料番号 |
ICD2007-2 |
発行日 |
2007-04-05 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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