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講演抄録/キーワード
講演名 2007-01-30 16:55
SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価
品田 聡寺井弘高和田尚也王 鎮宮崎哲弥NICTエレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2006-162 LQE2006-151
抄録 (和) 本研究は,光パケットスイッチのバッファメモリとして,低消費電力動作かつ高速なメモリ・論理演算が可能であるSFQ(Single Flux Quantum)回路を用いることを提案している.極低温において動作するSFQ回路の高速性を生かし,かつ冷凍器への熱流入を押さえるためには,光を用いた信号の入出力が有効であり,光信号とSFQ信号を相互に変換する光インターフェースの開発が重要である.本研究では,光入力インターフェースの光検出器として,SFQ回路とMCM(Multi Chip Module)実装が容易であるMSM(Metal/Semiconductor/Metal)ダイオードを用いることを提案しており,本報告ではInGaAs/InP基板上に製作したMSMダイオードの特性について報告する. 
(英) We have proposed to use a SFQ (Single Flux Quantum) circuit as a buffer memory in the optical packet switch. The SFQ circuit can work as a flash memory and a logic circuit in a cryogenic environment. It is important to develop optical input/output interfaces with a wide band transmission and a low thermal load to a cryostat. A MSM (Metal/Semiconductor/Metal) photo diode has a simple planer structure and is useful for integration with the SFQ circuit on a MCM (Multi Chip Module). In this paper, we report the characteristics of a MSM diode which is fabricated on InGaAs/InP wafer.
キーワード (和) 光パケットスイッチ / バッファメモリ / SFQ回路 / MSMダイオード / / / /  
(英) optical packet switch / buffer memory / SFQ circuit / MSM diode / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 513, PN2006-80, pp. 185-189, 2007年1月.
資料番号 PN2006-80 
発行日 2007-01-22 (PN, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 OPE EMT LQE PN  
開催期間 2007-01-29 - 2007-01-30 
開催地(和) 阪大コンベンションセンター 
開催地(英) Osaka Univ. Convention Center 
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶・ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般 
テーマ(英) Photonic integrated circuits and devices, swtiching, PLC, fiber devices, waveguide analysis, and others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 PN 
会議コード 2007-01-OPE-EMT-LQE-PN 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SFQ光メモリのためのMSMフォトダイオードの製作・評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication and Characterization of a MSM photo diode for SFQ circuit 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光パケットスイッチ / optical packet switch  
キーワード(2)(和/英) バッファメモリ / buffer memory  
キーワード(3)(和/英) SFQ回路 / SFQ circuit  
キーワード(4)(和/英) MSMダイオード / MSM diode  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 品田 聡 / Satoshi Shinada / シナダ サトシ
第1著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺井 弘高 / Hirotaka Terai / テライ ヒロタカ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 尚也 / Naoya Wada / ワダ ナオヤ
第3著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 王 鎮 / Zhen Wang / ワン チエン
第4著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 哲弥 / Tetsuya Miyazaki / ミヤザキ テツヤ
第5著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
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講演者
発表日時 2007-01-30 16:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 PN 
資料番号 IEICE-PN2006-80,IEICE-OPE2006-162,IEICE-LQE2006-151 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.513(PN), no.514(OPE), no.515(LQE) 
ページ範囲 pp.185-189 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-PN-2007-01-22,IEICE-OPE-2007-01-22,IEICE-LQE-2007-01-22 


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