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講演抄録/キーワード
講演名 2007-01-29 13:25
[招待講演]1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
中原宏治足立光一朗葛西淳一北谷 健青木雅博日立エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2006-136 LQE2006-125
抄録 (和) 理想的なバンドラインナップを有するGaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高速化を目的として三重量子井戸(TQW: triple quantum well)構造の検討を行った。MBEによるGaInNAsの結晶成長において不純物、特に3次元成長を助長するAlの混入の抑制と量子井戸構造の最適化を行った。その結果、同成長法のGaInNAs-TQWレーザにて世界最小と同等のしきい電流密度468A/cm^2を得た。さらに、逆メサ構造を導入したリッジ型レーザでGaInNAsリッジ型レーザの世界最小のしきい電流4.3mAを1.29μmの長波長発振にて実現した。また、TQW構造の高速性を反映して5℃の40Gb/s直接変調動作を実証した。 
(英) The GaInNAs has an ideal band-lineup as compared with conventional long-wavelenth acitve materials. We investigated TQW (triple quantum well) structure in terms of high speed operations. In order to improve the crystallinity of GaInNAs-TQW, an Al-free MBE eptaxial system was developed and a TQW structure was optimized. As a result, low threshold current density of 468 A/cm^2 is obtained, which is almost the same as the lowest one grown by MBE. Moreover, it is demonstrated that the record low threshold current of 4.3 mA is achieved in long-wavelength, 1.29 µm, GaInNAs-TQW RWG lasers. In addition, 40-Gb/s direct modulation of the laser is confirmed at 5ºC.
キーワード (和) GaInNAs / GaAs / MBE / Al / TQW / しきい電流密度 / しきい電流 / リッジ型レーザ  
(英) GaInNAs / GaAs / MBE / Al / TQW / threshold current density / threhold current / RWG laser  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 515, LQE2006-125, pp. 41-44, 2007年1月.
資料番号 LQE2006-125 
発行日 2007-01-22 (PN, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 OPE EMT LQE PN  
開催期間 2007-01-29 - 2007-01-30 
開催地(和) 阪大コンベンションセンター 
開催地(英) Osaka Univ. Convention Center 
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶・ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般 
テーマ(英) Photonic integrated circuits and devices, swtiching, PLC, fiber devices, waveguide analysis, and others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2007-01-OPE-EMT-LQE-PN 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 1.3-μm GaInNAs-TQW-RWG Lasers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaInNAs / GaInNAs  
キーワード(2)(和/英) GaAs / GaAs  
キーワード(3)(和/英) MBE / MBE  
キーワード(4)(和/英) Al / Al  
キーワード(5)(和/英) TQW / TQW  
キーワード(6)(和/英) しきい電流密度 / threshold current density  
キーワード(7)(和/英) しきい電流 / threhold current  
キーワード(8)(和/英) リッジ型レーザ / RWG laser  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中原 宏治 / Kouji Nakahara / ナカハラ コウジ
第1著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd.,Central Research Laboratory (略称: Hitachi Ltd., CRL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 足立 光一朗 / Koichiro Adachi / アダチ コウイチロウ
第2著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd.,Central Research Laboratory (略称: Hitachi Ltd., CRL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 葛西 淳一 / Junichi Kasai / カサイ ジュンイチ
第3著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd.,Central Research Laboratory (略称: Hitachi Ltd., CRL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 北谷 健 / Takeshi Kitatani / キタタニ タケシ
第4著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd.,Central Research Laboratory (略称: Hitachi Ltd., CRL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 雅博 / Masahiro Aoki / アオキ マサヒロ
第5著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd.,Central Research Laboratory (略称: Hitachi Ltd., CRL)
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講演者
発表日時 2007-01-29 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-PN2006-54,IEICE-OPE2006-136,IEICE-LQE2006-125 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.513(PN), no.514(OPE), no.515(LQE) 
ページ範囲 pp.41-44 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-PN-2007-01-22,IEICE-OPE-2007-01-22,IEICE-LQE-2007-01-22 


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