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講演抄録/キーワード
講演名 2007-01-19 09:45
CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
森脇孝雄山本和也小川喜之三浦 猛前村公正紫村輝之三菱電機エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-226 MW2006-179
抄録 (和) 2.4Vの低レファレンス電圧動作900MHz帯CDMA端末用InGaP/GaAs-HBT MMIC電力増幅器モジュールの設計・試作結果について報告する.電力増幅器のバイアス回路に供給される電圧(レファレンス電圧及びコレクタ電圧)を2.4Vの低電圧で動作させるために,(i)パワー段をAC結合した2つにブロックに分割し,一方には電圧及び電流駆動のバイアス供給を,他方に電流駆動のみのバイアス供給を与え,さらに(ii)低温での隣接チャネル漏洩電力の劣化を抑制するために電圧・電流駆動するパワー段にDC結合した並列型のダイオードリニアライザを装荷した.電力増幅器のパワー段のコレクタ電圧3.5V,レファレンス電圧を含むバイアス回路の電源電圧2.4V,周波数900MHz帯において,本電力増幅器はJ-/W-CDMAに要求される出力特性を-10℃~+90℃の広い温度範囲で満足した.常温における主な実験結果は以下の通りである.J-CDMA変調に対しては出力電力27.5dBm時においてACPR1 -50dBc,PAE40%,利得26.5dB,W-CDMA変調に対しては出力電力28dBm時においてACLR1 -42dBc,PAE42%,利得26.7dBである. 
(英) This paper describes circuit design and measurement results of a newly developed InGaP/GaAs HBT MMIC power amplifier module (PA) which can operate with 2.4-V low reference (Vref) and supply voltages of its on-chip bias circuits. To achieve the low-Vref operation, the following two new circuit design techniques are incorporated into the IC: (i) two different kinds of bias feeding (current feed, and voltage-/current-feed) to AC-coupled power stages, and (ii) successful implementation of a diode linearizer built in the power stage. Measurement results at 900 MHz, a 3.5-V Vcc, and a 2.4-V Vref show that the PA meets J-/W-CDMA power and distortion specifications sufficiently over a wide temperature range from -10 to 90?C while keeping a low quiescent current of less than 65 mA. For J-CDMA modulation, the PA can deliver a 27.5-dBm Pout, a 40% PAE, and a -50-dBc ACPR, while a 28-dBm Pout, a 42% PAE, and a -42-dBc ACLR are achieved for W-CDMA modulation.
キーワード (和) GaAs / 電力増幅器 / CDMA / HBT / 低電圧 / / /  
(英) GaAs / Power amplifiers / CDMA / HBT / Low-Reference Voltage / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-226, pp. 143-148, 2007年1月.
資料番号 ED2006-226 
発行日 2007-01-10 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-226 MW2006-179

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2007-01-17 - 2007-01-19 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 超高速・超高周波デバイスおよびIC/一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2007-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 2.4-V Reference Voltage Operation InGaP-HBT MMIC Power Amplifier for CDMA Handsets 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaAs / GaAs  
キーワード(2)(和/英) 電力増幅器 / Power amplifiers  
キーワード(3)(和/英) CDMA / CDMA  
キーワード(4)(和/英) HBT / HBT  
キーワード(5)(和/英) 低電圧 / Low-Reference Voltage  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森脇 孝雄 / Takao Moriwaki / モリワキ タカオ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 和也 / Kazuya Yamamoto / ヤマモト カズヤ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 喜之 / Nobuyuki Ogawa / オガワ ノブユキ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 猛 / Takeshi Miura / ミウラ タケシ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 前村 公正 / Kosei Maemura / マエムラ コウセイ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 紫村 輝之 / Teruyuki Shimura / シムラ テルユキ
第6著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
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講演者
発表日時 2007-01-19 09:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2006-226,IEICE-MW2006-179 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.459(ED), no.460(MW) 
ページ範囲 pp.143-148 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2007-01-10,IEICE-MW-2007-01-10 


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