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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-01-19 14:50 ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2006-235 MW2006-188 |
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| 抄録 | （和） | 我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理に基づいて動作するGaNパワートランジスタ（Gate Injection Transistor : GIT）を開発した。GITはAlGaN/GaN FETのゲート部に形成したp型ゲートによりゲート直下のチャネル部の電位を持ち上げて電子を枯渇させ、ノーマリオフ特性を実現する。さらに、p型ゲートからチャネル部へホール注入させることにより、チャネル部の伝導度を変調させてチャネル抵抗を低減させる。これによりノーマリオフにもかかわらず低オン抵抗なGaNトランジスタの実現が可能となった。作製したGITはしきい値が+1Vと良好なノーマリオフ特性を示し、最大ドレイン電流が200mA/mm、オン抵抗および耐圧はそれぞれ2.6mΩcm2、640Vと、これまでに報告されたノーマリオフ型GaNトランジスタの中で最も優れた値を得ることができた。 |
| （英） | We report a normally-off GaN-based transistor using conductivity modulation, which we call GIT (Gate Injection Transistor). This new device principle utilizes hole-injection from p-AlGaN to AlGaN/GaN hetero-junction, which increases electron density in the depleted channel resulting in dramatic increase of the drain current owing to the conductivity modulation. The fabricated GIT exhibits the threshold voltage of 1.0V with high maximum drain current of 200mA/mm. The obtained on-state resistance (Ron•A) and off-state breakdown voltage (BVds) are 2.6m•cm2 and 640V, respectively. These values are the best ones ever reported for GaN-based normally-off transistors. | |
| キーワード | （和） | GaN / Si基板 / ホール注入 / 伝導度変調 / パワーデバイス / 低オン抵抗 / 高耐圧 / ノーマリオフ |
| （英） | GaN / Si substrate / hole injection / conductivity modulation / high power switching device / low on-state resistance / high breakdown voltage / normally-off | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-235, pp. 193-197, 2007年1月. | |
| 資料番号 | ED2006-235 | |
| 発行日 | 2007-01-10 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2006-235 MW2006-188 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2007-01-17 - 2007-01-19 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Normally-off AlGaN/GaN Transistor with Low On-State Resistance Using Hole-Injection |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | ホール注入 / hole injection |
| キーワード(4)（和/英） | 伝導度変調 / conductivity modulation |
| キーワード(5)（和/英） | パワーデバイス / high power switching device |
| キーワード(6)（和/英） | 低オン抵抗 / low on-state resistance |
| キーワード(7)（和/英） | 高耐圧 / high breakdown voltage |
| キーワード(8)（和/英） | ノーマリオフ / normally-off |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上本 康裕 / Yasuhiro Uemoto / ウエモト ヤスヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric-Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 引田 正洋 / Masahiro Hikita / ヒキタ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric-Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 弘明 / Hiroaki Ueno / ウエノ ヒロアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric-Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 尚慶 / Hisayoshi Matsuo / マツオ ヒサヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric-Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida / イシダ ヒデトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric-Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳原 学 / Manabu Yanagihara / ヤナギハラ マナブ |
| 第6著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric-Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric-Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric-Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 大助 / Daisuke Ueda / ウエダ ダイスケ |
| 第9著者 所属（和/英） | 松下電器産業 (略称： 松下電器) Matsushita Electric-Panasonic (略称： Panasonic) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-01-19 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2006-235, MW2006-188 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.459(ED), no.460(MW) |
| ページ範囲 | pp.193-197 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-01-10 (ED, MW) |
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