講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-10-06 09:55
半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価 ○上田雅也・小島一信・船戸 充・川上養一(京大)・成川幸男・向井孝志(日亜化学) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-162 CPM2006-99 LQE2006-66 |
抄録 |
(和) |
半極性{11-22}GaN基板上にGaNおよびInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)を有機金属気相成長し,その光学特性を評価した.まず,GaNホモエピタキシーの成長条件を検討し原子レベルで平坦な表面を得ることに成功した.光学反射測定ではA, B, C励起子が面内異方性を持っていることが確認された.フォトルミネッセンス(PL)スペクトルはA励起子による発光が支配的であり,その低エネルギー側にドナー束縛励起子によるシャープなダブレットの発光が観察された.さらに最適化した条件で成長したGaNホモエピタキシャル層上にInGaN/GaN MQWを作製した.波長428 nmで観測した時間分解PLから,10 Kでの再結合寿命が46 psと142 psと求められ,従来の(0001)面QWと比較して二桁ほど速いことがわかった.これは内部電界が低減され,輻射再結合確率が向上したことを示している.また,MQWのPLは,結晶の対称性を反映して,[1-100]方向に偏光度69%の強い偏光を示していた. |
(英) |
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キーワード |
(和) |
半極性{11-22} / GaN / InGaN/GaN量子井戸 / 有機金属気相成長 / / / / |
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文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 271, LQE2006-66, pp. 57-61, 2006年10月. |
資料番号 |
LQE2006-66 |
発行日 |
2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
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