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講演抄録/キーワード
講演名 2006-10-06 09:55
半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
上田雅也小島一信船戸 充川上養一京大)・成川幸男向井孝志日亜化学エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-162 CPM2006-99 LQE2006-66
抄録 (和) 半極性{11-22}GaN基板上にGaNおよびInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)を有機金属気相成長し,その光学特性を評価した.まず,GaNホモエピタキシーの成長条件を検討し原子レベルで平坦な表面を得ることに成功した.光学反射測定ではA, B, C励起子が面内異方性を持っていることが確認された.フォトルミネッセンス(PL)スペクトルはA励起子による発光が支配的であり,その低エネルギー側にドナー束縛励起子によるシャープなダブレットの発光が観察された.さらに最適化した条件で成長したGaNホモエピタキシャル層上にInGaN/GaN MQWを作製した.波長428 nmで観測した時間分解PLから,10 Kでの再結合寿命が46 psと142 psと求められ,従来の(0001)面QWと比較して二桁ほど速いことがわかった.これは内部電界が低減され,輻射再結合確率が向上したことを示している.また,MQWのPLは,結晶の対称性を反映して,[1-100]方向に偏光度69%の強い偏光を示していた. 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 半極性{11-22} / GaN / InGaN/GaN量子井戸 / 有機金属気相成長 / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 271, LQE2006-66, pp. 57-61, 2006年10月.
資料番号 LQE2006-66 
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-162 CPM2006-99 LQE2006-66

研究会情報
研究会 ED CPM LQE  
開催期間 2006-10-05 - 2006-10-06 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物および混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2006-10-ED-CPM-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum wells on semipolar {11-22} GaN substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半極性{11-22} /  
キーワード(2)(和/英) GaN /  
キーワード(3)(和/英) InGaN/GaN量子井戸 /  
キーワード(4)(和/英) 有機金属気相成長 /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 雅也 / Masaya Ueda / ウエダ マサヤ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小島 一信 / Kazunobu Kojima / コジマ カズノブ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 成川 幸男 / Yukio Narukawa / ナルカワ ユキオ
第5著者 所属(和/英) 日亜化学工業 (略称: 日亜化学)
Nichia Corporation (略称: Nichia)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 向井 孝志 / Takashi Mukai / ムカイ タカシ
第6著者 所属(和/英) 日亜化学工業 (略称: 日亜化学)
Nichia Corporation (略称: Nichia)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-10-06 09:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2006-162, CPM2006-99, LQE2006-66 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) 
ページ範囲 pp.57-61 
ページ数
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 


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