講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-10-06 11:50
電流注入発光寿命によるGan系LEDにおける内部量子効率の評価 ○財満康太郎(東芝)・成田哲生(名大)・斎藤真司・橘 浩一・名古 肇・波多腰玄一・布上真也(東芝) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-166 CPM2006-103 LQE2006-70 |
抄録 |
(和) |
InGaN量子井戸を活性層とする発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)を試料として、電流注入による内部量子効率を評価する方法を検討した。パルス電流注入時のエレクトロルミネッセンスの発光緩和寿命の測定を用いた評価方法のモデルとその測定のための実験系を説明する。実際にLEDについて内部量子効率を見積もり、注入電流の増大とともに内部量子効率が増大していくことが観察された。 |
(英) |
The internal quantum efficiency of GaN-based light emitting diodes (LEDs) was analyzed by investigating electroluminescence lifetime. A model and experimental results of this method were described. The internal quantum efficiency increased as the injected current increased. |
キーワード |
(和) |
LED / 内部量子効率 / InGaN量子井戸 / エレクトロルミネッセンス / 発光寿命 / / / |
(英) |
LED / internal quantum efficiency / InGaN multiple quantum well / electroluminescence / lifetime / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 271, LQE2006-70, pp. 79-82, 2006年10月. |
資料番号 |
LQE2006-70 |
発行日 |
2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
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