講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-10-06 15:35
n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響 ○甘利浩一・須田 淳・木本恒暢(京大) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-172 CPM2006-109 LQE2006-76 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-172, pp. 107-112, 2006年10月. |
資料番号 |
ED2006-172 |
発行日 |
2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-172 CPM2006-109 LQE2006-76 |
研究会情報 |
研究会 |
ED CPM LQE |
開催期間 |
2006-10-05 - 2006-10-06 |
開催地(和) |
京都大学 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
窒化物および混晶半導体デバイス |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2006-10-ED-CPM-LQE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Impact of acceptor concentration on electronic properties of n-GaN/p-SiC heterojunction for GaN/SiC heterojunction bipolar transistor |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
甘利 浩一 / Koichi Amari / アマリ コウイチ |
第1著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
第2著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
第3著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2006-10-06 15:35:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2006-172, CPM2006-109, LQE2006-76 |
巻番号(vol) |
vol.106 |
号番号(no) |
no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) |
ページ範囲 |
pp.107-112 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
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