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講演抄録/キーワード
講演名 2006-10-06 11:00
MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
中山正昭田中浩康阪市大)・安藤雅信上村俊也豊田合成エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-164 CPM2006-101 LQE2006-68
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) We have investigated photoluminescence (PL) properties of a high quality GaN thin film grown by metal-organic vapor phase epitaxy under intense excitation conditions in a wide temperature range from 10 to 300 K. It is found that there are two types of PL band peculiar to intense excitation conditions. In a low temperature region below 80 K, the PL process is dominated by exciton-exciton scattering, the so-called P emission. On the other hand, in a high temperature region above $\sim120$ K, a PL band, which is different from the P emission, appears. The energy spacing between the new PL band and the fundamental A exciton linearly increases with an increase in temperature. The energy spacing is estimated to be zero at absolute zero temperature by extrapolation of the temperature dependence. These PL profiles indicate that the PL band observed in the high temperature regime originates from exciton-electron scattering. Furthermore, we have confirmed that the exciton-electron scattering process produces optical gain leading to stimulated emission at room temperature.
キーワード (和) 窒化ガリウム / 励起子 / 発光 / 励起子-励起子散乱 / 励起子-電子散乱 / 有機金属気相エピタキシー / 光学利得 / 誘導放出  
(英) GaN / exciton / photoluminescence / exciton-exciton scattering / exciton-electron scattering / MOVPE / optical gain / stimulated emission  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 271, LQE2006-68, pp. 69-73, 2006年10月.
資料番号 LQE2006-68 
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-164 CPM2006-101 LQE2006-68

研究会情報
研究会 ED CPM LQE  
開催期間 2006-10-05 - 2006-10-06 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物および混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2006-10-ED-CPM-LQE 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Photoluminescence from inelastic scattering processes of excitons under intense-excitation conditions in a GaN thin film grown by Metal-organic vapor phase epitaxy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化ガリウム / GaN  
キーワード(2)(和/英) 励起子 / exciton  
キーワード(3)(和/英) 発光 / photoluminescence  
キーワード(4)(和/英) 励起子-励起子散乱 / exciton-exciton scattering  
キーワード(5)(和/英) 励起子-電子散乱 / exciton-electron scattering  
キーワード(6)(和/英) 有機金属気相エピタキシー / MOVPE  
キーワード(7)(和/英) 光学利得 / optical gain  
キーワード(8)(和/英) 誘導放出 / stimulated emission  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中山 正昭 / Masaaki Nakayama /
第1著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 浩康 / Hiroyasu Tanaka / タナカ ヒロヤス
第2著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 安藤 雅信 / Masanobu Ando / アンドウ マサノブ
第3著者 所属(和/英) 豊田合成株式会社 (略称: 豊田合成)
Toyoda Gosei Company Limited (略称: Toyoda Gosei)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 上村 俊也 / Toshiya Uemura / ウエムラ トシヤ
第4著者 所属(和/英) 豊田合成株式会社 (略称: 豊田合成)
Toyoda Gosei Company Limited (略称: Toyoda Gosei)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-10-06 11:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2006-164, CPM2006-101, LQE2006-68 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) 
ページ範囲 pp.69-73 
ページ数
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 


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