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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-10-06 16:50 ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN2+イオンダメージ軽減の効果 ○淀 徳男・嶋田照也・田川澄人・西本 亮・日高志郎・石井圭太・瀬川紘史・平川順一・原田義之（阪工大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2006-175 CPM2006-112 LQE2006-79 |
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| 抄録 | （和） | ECR-MBE法の問題点として、成長薄膜にダメージを与える窒素分子イオンがECRプラズマ中で発生するため、InNの成長に大きな問題となっていた。このイオンダメージを抑制するための改善策として、基板にバイアスをかける方法、磁界を用いる方法があるが、我々はInN成長時の窒素プラズマ条件を詳細に検討し、この問題点の改善を試みた。 |
| （英） | The problem of ECR-MBE method is to generate the N2+ ion from ECR plasma during growth that damages the film. The bad influence of ion damage becomes bigger problem in InN growth. There are two methods using the substrate bias and the magnetic field in order to control the ion damage. However, we have investigated influence of the plasma condition on the crystalline quality and tried to improve this problem in this report. | |
| キーワード | （和） | 六方晶InN / ECR-MBE法 / ECRプラズマ / Si(111)基板 / イオンダメージ / PL発光 / / |
| （英） | Hexagonal InN / ECR-plasma assisted MBE / ECR-plasma / Si(111) substrate / ion damage / PL emission / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-175, pp. 121-125, 2006年10月. | |
| 資料番号 | ED2006-175 | |
| 発行日 | 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2006-175 CPM2006-112 LQE2006-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2006-10-05 - 2006-10-06 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2006-10-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN2+イオンダメージ軽減の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of ion damage reduction due to N2+ on InN film growth on Si substrate by ECR-MBE method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶InN / Hexagonal InN |
| キーワード(2)（和/英） | ECR-MBE法 / ECR-plasma assisted MBE |
| キーワード(3)（和/英） | ECRプラズマ / ECR-plasma |
| キーワード(4)（和/英） | Si(111)基板 / Si(111) substrate |
| キーワード(5)（和/英） | イオンダメージ / ion damage |
| キーワード(6)（和/英） | PL発光 / PL emission |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 淀 徳男 / Tokuo Yodo / ヨド トクオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst.of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋田 照也 / Teruya Shimada / シマダ テルヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst.of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田川 澄人 / Sumito Tagawa / タガワ スミト |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst.of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西本 亮 / Ryo Nishimoto / ニシモト リョウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst.of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日高 志郎 / Shiro Hidaka / ヒダカ シロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst.of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 圭太 / Keita Ishi / イシイ ケイタ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst.of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瀬川 紘史 / Hiroshi Segawa / セガワ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst.of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平川 順一 / Junichi Hirakawa / ヒラカワ ジュンイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst.of Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 義之 / Yoshiyuki Harada / ハラダ ヨシユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst.of Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-10-06 16:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2006-175, CPM2006-112, LQE2006-79 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) |
| ページ範囲 | pp.121-125 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
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