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講演抄録/キーワード
講演名 2006-10-06 14:55
GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード
田沼伸久久保田 稔鷹野致和明星大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-171 CPM2006-108 LQE2006-75
抄録 (和) ミリ波周波数逓培器用の素子としてヘテロ障壁型可変容量ダイオード(HBV)が注目されている.これまで障壁層にはGaAs系の材料が用いられてきたが,高効率・大出力を目的としてバンドギャップが大きく,絶縁破壊電界の大きい窒化物系半導体を用いることが期待される.障壁層にAlGaNを用いた場合,GaNとの格子歪みによりAlGaN層に大きなピエゾ分極が発生する為,最大容量となるときの電圧が負側に大きくシフトする結果となった.ここでは,障壁層にInAlNを用いてピエゾ分極効果を少なくすることにより,最大容量となる電圧を0V近傍にすることを試みた.基板は,サファイア基板上にn-GaN 1m,i-GaN 5nm,i-In0.17Al0.83N,i-GaN 5nm,n-GaN 500nmをMOCVDにより成長させたものを用いた.容量-電圧測定の結果,バイアス電圧約-0.6 Vのときに最大容量となり,AlGaN/GaN HBVの場合に比べ,分極効果の影響をより小さくすることに成功した. 
(英) The capacitance-voltage (C-V) characteristics of In0.17Al0.83N/GaN heterostructure barrier varactors (HBV) grown by metal-organic chemical vapor deposition on a c-oriented sapphire substrate were studied. The favorable material properties of wide-band-gap III-N’s are important in realizing the HBVs for frequency triples and distributed line pulse sharpens for practical use. The HBV structure consists of a 10-nm-thick undoped In0.17Al0.83N barrier sandwiched between two undoped GaN layers with a thickness of 5 nm. The barrier structure is further sandwiched between two n-GaN (n = 5 x 10^17 cm-3) layers with respective thicknesses of 500 nm and 1 um to form the top and the bottom ohmic contacts. At room temperature, the C-V characteristics show a maximum capacitance Cmax at approximately -0.6 V because of the induced spontaneous polarization field within the heterostructure, and the I-V characteristics show an increase in leakage current below -1 V and above 0.5 V.
キーワード (和) GaN / InAlN / ヘテロ障壁型可変容量ダイオード / ヘテロ接合デバイス / 窒化物半導体 / / /  
(英) GaN / InAlN / Heterostructure Barrier Varactor / HBV / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-171, pp. 103-106, 2006年10月.
資料番号 ED2006-171 
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-171 CPM2006-108 LQE2006-75

研究会情報
研究会 ED CPM LQE  
開催期間 2006-10-05 - 2006-10-06 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物および混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2006-10-ED-CPM-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) GaN/InAlN/GaN Hetero Barrier Varactor Diodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) InAlN / InAlN  
キーワード(3)(和/英) ヘテロ障壁型可変容量ダイオード / Heterostructure Barrier Varactor  
キーワード(4)(和/英) ヘテロ接合デバイス / HBV  
キーワード(5)(和/英) 窒化物半導体 /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田沼 伸久 / Nobuhisa Tanuma / タヌマ ノブヒサ
第1著者 所属(和/英) 明星大学 (略称: 明星大)
Meisei University (略称: Meisei Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 久保田 稔 / Minoru Kubota / クボタ ミノル
第2著者 所属(和/英) 明星大学 (略称: 明星大)
Meisei University (略称: Meisei Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鷹野 致和 / Munecazu Tacano / タカノ ムネカズ
第3著者 所属(和/英) 明星大学 (略称: 明星大)
Meisei University (略称: Meisei Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-10-06 14:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2006-171, CPM2006-108, LQE2006-75 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) 
ページ範囲 pp.103-106 
ページ数
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 


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