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講演抄録/キーワード
講演名 2006-10-05 13:00
X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発
柏原 康増田和俊松下景一桜井博幸高塚眞治高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56
抄録 (和) 我々はX帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMTをコンベンショナルなCuパッケージに実装した素子において、9.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)30Vにて、最大出力39.8W(46.0dBm)を得た。この時の線形利得(GL)は8.7dB, 電力付加効率(PAE)は28.4%である。 
(英) AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) were developed for X-band applications. The operating voltage and temperature dependence of output power characteristics in CW operating conditions were investigated. The developed AlGaN/GaN HEMT with 11.52 mm gate periphery exhibits output power of over 39.8W with a power added efficiency (PAE) of 28.4% under VDS=30V, CW operating condition at 9.5GHz.
キーワード (和) AlGaN / GaN / HEMT / X帯 / 40W / 高出力 / チャネル温度 /  
(英) AlGaN / GaN / HEMT / X-band / 40W / high power / channel temperature /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-152, pp. 1-5, 2006年10月.
資料番号 ED2006-152 
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56

研究会情報
研究会 ED CPM LQE  
開催期間 2006-10-05 - 2006-10-06 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物および混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2006-10-ED-CPM-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) X-band AlGaN/GaN HEMT with over 40W Output Power 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlGaN / AlGaN  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(4)(和/英) X帯 / X-band  
キーワード(5)(和/英) 40W / 40W  
キーワード(6)(和/英) 高出力 / high power  
キーワード(7)(和/英) チャネル温度 / channel temperature  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 柏原 康 / Yasushi Kashiwabara / カシワラ ヤスシ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 和俊 / Kazutoshi Masuda / マスダ カズトシ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松下 景一 / Keiichi Matsushita / マツシタ ケイイチ
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 桜井 博幸 / Hiroyuki Sakurai / サクライ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高塚 眞治 / Shinji Takatsuka / タカツカ シンジ
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 一考 / Kazutaka Takagi / タカギ カズタカ
第6著者 所属(和/英) 株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 川崎 久夫 / Hisao Kawasaki / カワサキ ヒサオ
第7著者 所属(和/英) 株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 賢治 / Yoshiharu Takada / タカダ ケンジ
第8著者 所属(和/英) 東芝研究開発センター (略称: 東芝)
Corporate R&D canter,Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 津田 邦男 / Kunio Tsuda / ツダ クニオ
第9著者 所属(和/英) 東芝研究開発センター (略称: 東芝)
Corporate R&D canter,Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-10-05 13:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2006-152, CPM2006-89, LQE2006-56 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) 
ページ範囲 pp.1-5 
ページ数
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 


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