講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-10-05 13:00
X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発 ○柏原 康・増田和俊・松下景一・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男(東芝) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56 |
抄録 |
(和) |
我々はX帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMTをコンベンショナルなCuパッケージに実装した素子において、9.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)30Vにて、最大出力39.8W(46.0dBm)を得た。この時の線形利得(GL)は8.7dB, 電力付加効率(PAE)は28.4%である。 |
(英) |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) were developed for X-band applications. The operating voltage and temperature dependence of output power characteristics in CW operating conditions were investigated. The developed AlGaN/GaN HEMT with 11.52 mm gate periphery exhibits output power of over 39.8W with a power added efficiency (PAE) of 28.4% under VDS=30V, CW operating condition at 9.5GHz. |
キーワード |
(和) |
AlGaN / GaN / HEMT / X帯 / 40W / 高出力 / チャネル温度 / |
(英) |
AlGaN / GaN / HEMT / X-band / 40W / high power / channel temperature / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-152, pp. 1-5, 2006年10月. |
資料番号 |
ED2006-152 |
発行日 |
2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56 |
研究会情報 |
研究会 |
ED CPM LQE |
開催期間 |
2006-10-05 - 2006-10-06 |
開催地(和) |
京都大学 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
窒化物および混晶半導体デバイス |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2006-10-ED-CPM-LQE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
X-band AlGaN/GaN HEMT with over 40W Output Power |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
AlGaN / AlGaN |
キーワード(2)(和/英) |
GaN / GaN |
キーワード(3)(和/英) |
HEMT / HEMT |
キーワード(4)(和/英) |
X帯 / X-band |
キーワード(5)(和/英) |
40W / 40W |
キーワード(6)(和/英) |
高出力 / high power |
キーワード(7)(和/英) |
チャネル温度 / channel temperature |
キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
柏原 康 / Yasushi Kashiwabara / カシワラ ヤスシ |
第1著者 所属(和/英) |
株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
増田 和俊 / Kazutoshi Masuda / マスダ カズトシ |
第2著者 所属(和/英) |
株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松下 景一 / Keiichi Matsushita / マツシタ ケイイチ |
第3著者 所属(和/英) |
株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
桜井 博幸 / Hiroyuki Sakurai / サクライ ヒロユキ |
第4著者 所属(和/英) |
株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高塚 眞治 / Shinji Takatsuka / タカツカ シンジ |
第5著者 所属(和/英) |
株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高木 一考 / Kazutaka Takagi / タカギ カズタカ |
第6著者 所属(和/英) |
株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
川崎 久夫 / Hisao Kawasaki / カワサキ ヒサオ |
第7著者 所属(和/英) |
株式会社東芝 小向工場 マイクロ波技術部 (略称: 東芝)
Komukai Operations, Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高田 賢治 / Yoshiharu Takada / タカダ ケンジ |
第8著者 所属(和/英) |
東芝研究開発センター (略称: 東芝)
Corporate R&D canter,Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
津田 邦男 / Kunio Tsuda / ツダ クニオ |
第9著者 所属(和/英) |
東芝研究開発センター (略称: 東芝)
Corporate R&D canter,Toshiba corporation (略称: Toshiba corp.) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 所属(和/英) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 所属(和/英) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 所属(和/英) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2006-10-05 13:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2006-152, CPM2006-89, LQE2006-56 |
巻番号(vol) |
vol.106 |
号番号(no) |
no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) |
ページ範囲 |
pp.1-5 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |