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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-10-05 13:25 AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○中田 健・川崎 健・松田慶太・五十嵐武司・八重樫誠司（ユーディナデバイス） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2006-153 CPM2006-90 LQE2006-57 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高い為ために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワースイッチングデバイスへの応用が期待されているが、高耐圧化に向けての検討事項は多く残されている。今回、サファイア基板上のHEMTでは耐圧がバッファリーク電流に支配されていることを解明し、バッファ層へFeドープをすることでリーク電流が抑制できることを確認した。FeドープによりHEMTの耐圧が向上しオン抵抗3.7mΩcm2のデバイスにおいて耐圧940Vと優れた特性を実現した。またシリコン基板上のHEMTでは基板・エピ垂直方向のリーク成分が支配的であり、耐圧改善にはエピの厚膜化が重要であることを検証した。 |
| （英） | AlGaN/GaN HEMTs are attractive devices for high power switching applications because of their high electron mobility and high breakdown characteristics. But it is difficult to increase breakdown voltage because of large leakage current originated from the heteroepitaxial layer interface. To solve the issue, we have developed AlGaN/GaN HEMTs with Fe doped GaN buffer on Sapphire substrate. Fe doped GaN buffer suppress buffer leakage efficiently. We obtained the HEMT with the on-state resistance of 3.7 mΩcm2 and the breakdown voltage of 940V. In the HEMT on Si substrate, leakage comes from vertical current flow through substrate. It is important to increase the epitaxial layer thickness for increase breakdown voltage. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / HEMT / パワーデバイス / 低オン抵抗 / 高耐圧 / Feドープ / 基板 |
| （英） | AlGaN / GaN / HEMT / power switching device / low specific on-state resistance / high breakdown voltage / Fe doping / Substrate | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-153, pp. 7-12, 2006年10月. | |
| 資料番号 | ED2006-153 | |
| 発行日 | 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2006-153 CPM2006-90 LQE2006-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2006-10-05 - 2006-10-06 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2006-10-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Breakdown Voltage of AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | パワーデバイス / power switching device |
| キーワード(5)（和/英） | 低オン抵抗 / low specific on-state resistance |
| キーワード(6)（和/英） | 高耐圧 / high breakdown voltage |
| キーワード(7)（和/英） | Feドープ / Fe doping |
| キーワード(8)（和/英） | 基板 / Substrate |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 健 / Ken Nakata / ナカタ ケン |
| 第1著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna (略称： Eudyna) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 健 / Takeshi Kawasaki / カワサキ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna (略称： Eudyna) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 慶太 / Keita Matsuda / マツダ ケイタ |
| 第3著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna (略称： Eudyna) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五十嵐 武司 / Takeshi Igarashi / イガラシ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna (略称： Eudyna) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八重樫 誠司 / Seiji Yaegashi / ヤエガシ セイジ |
| 第5著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス (略称： ユーディナデバイス) Eudyna (略称： Eudyna) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-10-05 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2006-153, CPM2006-90, LQE2006-57 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
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