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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-10-05 15:45 XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 ○小野島紀夫・東脇正高（NICT）・須田 淳・木本恒暢（京大）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62 |
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| 抄録 | （和） | SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表面バリアハイトについて、X線光電子分光および容量-電圧特性から詳細に評価した。SiNパッシベーションは触媒化学気相堆積法(Cat-CVD)を用いて行ったが、これにより2次元電子ガス(2DEG)濃度は増加することが分かっている。本報告では、Cat-CVDによるSiNパッシベーションによりAlGaN表面バリアハイトの減少が実際に引き起こされ、このことがAlGaN/GaN HFETの2DEG濃度を増加させる大きな要因である可能性があることを示す。 |
| （英） | AlGaN surface barrier heights in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with and without SiN passivation were estimated in detail by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and capacitance-voltage (C-V) measurements. SiN passivation was performed by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD), which has been already found to increase two-dimensional electron gas (2DEG) density. In this contribution, we demonstrate that a reduction of AlGaN surface barrier height is actually induced by Cat-CVD SiN passivation, which is most likely to be a significant factor of increase in the 2DEG density of AlGaN/GaN HFETs. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ / SiNパッシベーション / 触媒化学気相堆積法 / 表面バリアハイト / X線光電子分光 / 容量-電圧特性 / / |
| （英） | AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor (HFET) / SiN passivation / catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) / surface barrier height / x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) / capacitance-voltage (C-V) / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-158, pp. 35-38, 2006年10月. | |
| 資料番号 | ED2006-158 | |
| 発行日 | 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2006-10-05 - 2006-10-06 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2006-10-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of AlGaN/GaN HFET surface barrier height with Cat-CVD SiN passivation by XPS and C-V measurements |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ / AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor (HFET) |
| キーワード(2)（和/英） | SiNパッシベーション / SiN passivation |
| キーワード(3)（和/英） | 触媒化学気相堆積法 / catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) |
| キーワード(4)（和/英） | 表面バリアハイト / surface barrier height |
| キーワード(5)（和/英） | X線光電子分光 / x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) |
| キーワード(6)（和/英） | 容量-電圧特性 / capacitance-voltage (C-V) |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野島 紀夫 / Norio Onojima / オノジマ ノリオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/富士通研究所 (略称： NICT/富士通研) National Institute of Information and CommuniFujitsu laboratory (略称： NICT/Fujitsu Lab.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 敏明 / Toshiaki Matsui / マツイ トシアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-10-05 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2006-158, CPM2006-95, LQE2006-62 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
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