講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-08-25 15:45
Micromachined VCSELs and resonant photodetector with controlled temperature dependence ○Wiganes Janto・Koichi Hasebe(Tokyo Inst.of Titech)・Nobuhiko Nishiyama・Catherine Caneau(Corning)・Takahiro Sakaguchi・Akihiro Matsutani・Fumio Koyama(Tokyo Inst.of Titech)・Chung-En Zah(Corning) エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2006-47 CPM2006-77 OPE2006-89 LQE2006-54 |
抄録 |
(和) |
本研究では,マイクロマシン構造を用いた長波長帯面発光レーザおよび共振型フォトディテクタを提案し,片持ち梁構造の熱膨張層を導入することにより,温度無依存動作を実証した.通常の半導体材料では,温度上昇に伴う屈折率の増加により共振器長が変化する結果,共振波長が長波長側にシフトするため波長安定化が課題となる.一方,片持ち梁構造においては,温度上昇によるバイモルフ効果によって,共振器長を制御することが可能となり,適切な片持ち梁構造を設計することで共振波長の長波長化を抑制し,発振波長の安定化が期待される.本稿では,片持ち梁長85umのマイクロマシン面発光レーザ構造を用いることで,温度変化に対する波長シフト量が面発光レーザの発振特性およびフォトディテクタの共振特性おいて, 0.04 nm/Kおよび0.031 nm/Kであることをそれぞれ観測した.典型的な半導体レーザの波長シフト量が0.1 nm/K程度であるため,片持ち梁構造によって,温度無依存動作が確認された. |
(英) |
In this paper, we propose and demonstrate micromachined InP vertical cavity surface emitting lasers (InP VCSELs) and resonant-cavity photodetectors with an InP-based thermally strained layer for temperature insensitive operation. The thermally strained layer is employed on the cantilever in such a way that an increase in temperature displaces the cantilever downward resulting in a blue wavelength shift which is against with the red wavelength shift caused by the temperature effect in semiconductor materials. Furthermore, with the bimorph effect the temperature dependence can be freely controlled in a micromachined cantilever structure, avoiding the use of a temperature controller. From experiments, we obtain temperature dependences of 0.04 nm/K and 0.031 nm/K for micromachined InP VCSELs and photodetectors with an 85-um long cantilever, which is almost three-times less than that of ~0.1 nm/K for typical semiconductor lasers. |
キーワード |
(和) |
温度無依存性 / 面発光レーザ / フォトディテクタ / バイモルフ効果 / / / / |
(英) |
temperature insensitive operation / VCSELs / resonant-cavity photodetectors / bimorph effect / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 214, OPE2006-89, pp. 119-122, 2006年8月. |
資料番号 |
OPE2006-89 |
発行日 |
2006-08-17 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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