講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-08-18 09:00
CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造 ○大曽根隆志・石井英二・森下賢幸・小椋清孝(岡山県立大)・松田敏弘・岩田栄之(富山県立大) エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-142 ICD2006-96 |
抄録 |
(和) |
ホットキャリアに起因するCMOSFETの信頼性がチャネル幅方向の中心付近か素子分離端近傍の何れで支配的に決定されるかを評価するために,4種類のMOSFET<即ち,チャネル幅方向に対して一定の短い(長い)チャネル長の[A]([D]MOSFET),中心付近と素子分離端近傍が短い(長い)及び長い(短い)チャネル長の[B]([C])MOSFET>で構成されるテスト構造を提案し,試作した.得られた信頼性データは3種類に大別され(即ち,[A],[B]/[C]と[D]),本CMOSFETの信頼性は中心付近と素子分離端近傍とで同等であると考えられる. |
(英) |
A test structure with four kinds of MOSFETs(i.e., [A]([D]) with a short(long) channel-length all over the channel width, [B]([C]) with the short(long) and the long(short) channel-length around the center and the both isolation-edges, respectively) was proposed to separately analyze the location where the hot-carrier-induced CMOSFET reliability is determined around the center or the isolation-edge along the channel-width. The reliability data were almost categorized into three (i.e., [A], [B]/[C] and [D]), which mean that the reliabilities are nearly the same around center or isolation-edge for the CMOSFETs. |
キーワード |
(和) |
CMOSFET / 信頼性 / LDD構造 / チャネル幅 / 素子分離 / / / |
(英) |
CMOSFET / reliability / LDD-type / channel width / isolation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 206, SDM2006-142, pp. 99-104, 2006年8月. |
資料番号 |
SDM2006-142 |
発行日 |
2006-08-10 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-142 ICD2006-96 |