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講演抄録/キーワード
講演名
2006-08-18 11:40
hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について
川崎博久
(
東芝アメリカ電子部品
)・○
稲葉 聡
・
岡野王俊
・
金子明生
(
東芝
)・
八木下淳史
(
東芝アメリカ電子部品
)・
泉田貴士
・
金村貴永
・
佐々木貴彦
・
大塚伸朗
・
青木伸俊
・
須黒恭一
・
江口和弘
・
綱島祥隆
(
東芝
)・
石丸一成
(
東芝アメリカ電子部品
)・
石内秀美
(
東芝
)
エレソ技報アーカイブへのリンク:
SDM2006-147
ICD2006-101
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 106, no. 206, SDM2006-147, pp. 127-132, 2006年8月.
資料番号
SDM2006-147
発行日
2006-08-10 (SDM, ICD)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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エレソ技報アーカイブへのリンク:
SDM2006-147
ICD2006-101
研究会情報
研究会
ICD SDM
開催期間
2006-08-17 - 2006-08-18
開催地(和)
北海道大学
開催地(英)
Hokkaido University
テーマ(和)
VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力) <オーガナイザ:平本 俊郎(東京大学)>
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2006-08-ICD-SDM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Embedded Bulk FinFET SRAM Cell Technology with Planar FET Peripheral Circuit for hp32 nm node and beyond
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
川崎 博久
/
Hirohisa Kawasaki
/
カワサキ ヒロヒサ
第1著者 所属(和/英)
東芝アメリカ電子部品社
(略称:
東芝アメリカ電子部品
)
Toshiba America Electronic Components, Inc.
(略称:
TAEC
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
稲葉 聡
/
Satoshi Inaba
/
イナバ サトシ
第2著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
岡野 王俊
/
Kimitoshi Okano
/
オカノ キミトシ
第3著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
金子 明生
/
Akio Kaneko
/
カネコ アキオ
第4著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
八木下 淳史
/
Atsushi Yagishita
/
ヤギシタ アツシ
第5著者 所属(和/英)
東芝アメリカ電子部品社
(略称:
東芝アメリカ電子部品
)
Toshiba America Electronic Components, Inc.
(略称:
TAEC
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
泉田 貴士
/
Takashi Izumida
/
イズミダ タカシ
第6著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
金村 貴永
/
Takahisa Kanemura
/
カネムラ タカヒサ
第7著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
佐々木 貴彦
/
Takahiko Sasaki
/
ササキ タカヒコ
第8著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
大塚 伸朗
/
Nobuaki Otsuka
/
オオツカ ノブアキ
第9著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
青木 伸俊
/
Nobutoshi Aoki
/
アオキ ノブトシ
第10著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
須黒 恭一
/
Kyoichi Suguro
/
スグロ キヨウイチ
第11著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
江口 和弘
/
Kazuhiro Eguchi
/
エグチ カズヒロ
第12著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
綱島 祥隆
/
Yoshitaka Tsunashima
/
ツナシマ ヨシタカ
第13著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
石丸 一成
/
Kazunari Ishimaru
/
イシマル カズナリ
第14著者 所属(和/英)
東芝アメリカ電子部品社
(略称:
東芝アメリカ電子部品
)
Toshiba America Electronic Components, Inc.
(略称:
TAEC
)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
石内 秀美
/
Hidemi Ishiuchi
/
イシウチ ヒデミ
第15著者 所属(和/英)
株式会社 東芝 セミコンダクター社
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation Semiconductor Company
(略称:
Toshiba Semicon.
)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第2著者
発表日時
2006-08-18 11:40:00
発表時間
25分
申込先研究会
SDM
資料番号
SDM2006-147, ICD2006-101
巻番号(vol)
vol.106
号番号(no)
no.206(SDM), no.207(ICD)
ページ範囲
pp.127-132
ページ数
6
発行日
2006-08-10 (SDM, ICD)
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