講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-08-18 09:50
薄膜BOX 完全空乏型SOI MOSFET におけるばらつきの影響 ○大藤 徹(東大)・杉井信之(日立)・平本俊郎(東大) エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-144 ICD2006-98 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 206, SDM2006-144, pp. 111-114, 2006年8月. |
資料番号 |
SDM2006-144 |
発行日 |
2006-08-10 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-144 ICD2006-98 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD SDM |
開催期間 |
2006-08-17 - 2006-08-18 |
開催地(和) |
北海道大学 |
開催地(英) |
Hokkaido University |
テーマ(和) |
VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力) <オーガナイザ:平本 俊郎(東京大学)> |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2006-08-ICD-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
薄膜BOX 完全空乏型SOI MOSFET におけるばらつきの影響 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Parameter and Random Dopant Fluctuation on Fully-Depleted SOI MOSFETs with a Very Thin BOX |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大藤 徹 / Tetsu Ohtou / オオトウ テツ |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
第2著者 所属(和/英) |
日立研究開発本部 (略称: 日立)
R&D Group, Hitachi, Ltd., (略称: R&D Group, Hitachi, Ltd.,) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
第3著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2006-08-18 09:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2006-144, ICD2006-98 |
巻番号(vol) |
vol.106 |
号番号(no) |
no.206(SDM), no.207(ICD) |
ページ範囲 |
pp.111-114 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2006-08-10 (SDM, ICD) |
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