| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-08-18 12:05 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 ○今岡 進（ルネサスデザイン）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・増田康浩（ルネサスデザイン）・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・五十嵐元繁・冨田和朗・坪井信生・牧野博之・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2006-148 ICD2006-102 |
|
| 抄録 | （和） | 65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビット線切替回路を用いて同一行アクセス時の競合を回避する新しいアクセス方式を提案することで、SRAMセルのドライバトランジスタのサイズを小さくし、更にレイアウトの工夫により、0.71um2というスケーリングトレンドを超えたセルサイズを実現した。通常DPセルは、6T-single-port(SP)セルの2倍程度のサイズであるが、今回開発したセルは、SPセルの1.44倍を達成した。 |
| （英） | We propose a new access scheme of synchronous dual-port (DP) SRAM that minimizes area of 8T-DP-cell and keeps cell stability. A priority row decoder circuit and shifted bit-line access scheme eliminates access conflict problem. Using 65nm CMOS technology (hp90), we fabricated 32KB DP-SRAM macros with the proposed scheme. We obtain 0.71um2 8T-DP-cell, which cell size is 1.44x larger than 6T-single-port (SP)-cell. | |
| キーワード | （和） | SRAM / デュアルポート / ２ポート / SNM / 65nm / hp90 / SoC / 高密度 |
| （英） | SRAM / dual-port / 8T-cell / SNM / 65nm / hp90 / SoC / high-density | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 206, SDM2006-148, pp. 133-136, 2006年8月. | |
| 資料番号 | SDM2006-148 | |
| 発行日 | 2006-08-10 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2006-148 ICD2006-102 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2006-08-17 - 2006-08-18 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | Hokkaido University |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力） <オーガナイザ：平本 俊郎（東京大学）> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2006-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 65 nm Ultra-High-Density Dual-port SRAM with 0.71um2 8T-cell for SoC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | デュアルポート / dual-port |
| キーワード(3)（和/英） | ２ポート / 8T-cell |
| キーワード(4)（和/英） | SNM / SNM |
| キーワード(5)（和/英） | 65nm / 65nm |
| キーワード(6)（和/英） | hp90 / hp90 |
| キーワード(7)（和/英） | SoC / SoC |
| キーワード(8)（和/英） | 高密度 / high-density |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今岡 進 / Susumu Imaoka / イマオカ ススム |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスデザイン (略称： ルネサスデザイン) Renesas Design Corporation (略称： Renesas Design) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増田 康浩 / Yasuhiro Masuda / マスダ ヤスヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスデザイン (略称： ルネサスデザイン) Renesas Design Corporation (略称： Renesas Design) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大林 茂樹 / Shigeki Ohbayashi / オオバヤシ シゲキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五十嵐 元繁 / Motoshige Igarashi / イガラシ モトシゲ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨田 和朗 / Kazuo Tomita / トミタ カズオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坪井 信生 / Nobuo Tsuboi / ツボイ ノブオ |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧野 博之 / Hiroshi Makino / マキノ ヒロシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ |
| 第11著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ |
| 第12著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-08-18 12:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2006-148, ICD2006-102 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.206(SDM), no.207(ICD) |
| ページ範囲 | pp.133-136 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2006-08-10 (SDM, ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]