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講演抄録/キーワード
講演名 2006-08-18 12:05
超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
今岡 進ルネサスデザイン)・新居浩二ルネサステクノロジ)・増田康浩ルネサスデザイン)・薮内 誠塚本康正大林茂樹五十嵐元繁冨田和朗坪井信生牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジエレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-148 ICD2006-102
抄録 (和) 65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビット線切替回路を用いて同一行アクセス時の競合を回避する新しいアクセス方式を提案することで、SRAMセルのドライバトランジスタのサイズを小さくし、更にレイアウトの工夫により、0.71um2というスケーリングトレンドを超えたセルサイズを実現した。通常DPセルは、6T-single-port(SP)セルの2倍程度のサイズであるが、今回開発したセルは、SPセルの1.44倍を達成した。 
(英) We propose a new access scheme of synchronous dual-port (DP) SRAM that minimizes area of 8T-DP-cell and keeps cell stability. A priority row decoder circuit and shifted bit-line access scheme eliminates access conflict problem. Using 65nm CMOS technology (hp90), we fabricated 32KB DP-SRAM macros with the proposed scheme. We obtain 0.71um2 8T-DP-cell, which cell size is 1.44x larger than 6T-single-port (SP)-cell.
キーワード (和) SRAM / デュアルポート / 2ポート / SNM / 65nm / hp90 / SoC / 高密度  
(英) SRAM / dual-port / 8T-cell / SNM / 65nm / hp90 / SoC / high-density  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 206, SDM2006-148, pp. 133-136, 2006年8月.
資料番号 SDM2006-148 
発行日 2006-08-10 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2006-08-17 - 2006-08-18 
開催地(和) 北海道大学 
開催地(英) Hokkaido University 
テーマ(和) VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力) <オーガナイザ:平本 俊郎(東京大学)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2006-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 65 nm Ultra-High-Density Dual-port SRAM with 0.71um2 8T-cell for SoC 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) デュアルポート / dual-port  
キーワード(3)(和/英) 2ポート / 8T-cell  
キーワード(4)(和/英) SNM / SNM  
キーワード(5)(和/英) 65nm / 65nm  
キーワード(6)(和/英) hp90 / hp90  
キーワード(7)(和/英) SoC / SoC  
キーワード(8)(和/英) 高密度 / high-density  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 今岡 進 / Susumu Imaoka / イマオカ ススム
第1著者 所属(和/英) 株式会社ルネサスデザイン (略称: ルネサスデザイン)
Renesas Design Corporation (略称: Renesas Design)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第2著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 康浩 / Yasuhiro Masuda / マスダ ヤスヒロ
第3著者 所属(和/英) 株式会社ルネサスデザイン (略称: ルネサスデザイン)
Renesas Design Corporation (略称: Renesas Design)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト
第4著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ
第5著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 大林 茂樹 / Shigeki Ohbayashi / オオバヤシ シゲキ
第6著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 五十嵐 元繁 / Motoshige Igarashi / イガラシ モトシゲ
第7著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 冨田 和朗 / Kazuo Tomita / トミタ カズオ
第8著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 坪井 信生 / Nobuo Tsuboi / ツボイ ノブオ
第9著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 博之 / Hiroshi Makino / マキノ ヒロシ
第10著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ
第11著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ
第12著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corporation (略称: Renesas Technology)
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講演者
発表日時 2006-08-18 12:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2006-148,IEICE-ICD2006-102 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.206(SDM), no.207(ICD) 
ページ範囲 pp.133-136 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2006-08-10,IEICE-ICD-2006-08-10 


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