講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-08-17 13:30
[特別招待講演]SOI技術による7.5μm厚、0.15mm角RFIDチップの開発 ○宇佐美光雄(日立) エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-133 ICD2006-87 |
抄録 |
(和) |
0.18µm CMOS SOI技術による7.5µm厚で,0.15mm角のRFIDチップを開発した.動作キャリア周波数は2.45GHzで通信距離は480mmである.SOI技術を用いると,埋め込み酸化膜層を薄型加工時のエッチングストッパーとして使用することができる.RFIDアンテナはチップ両面電極構造によりチップに接続される. |
(英) |
This paper presents a newly developed radio frequency identification (RFID) chip that is ultra-thin (7.5µm) and ultra-small (0.15mm x 0.15mm) and is fabricated with 0.18µm SOI CMOS technology to reduce device cost and increase mechanical stress endurance. The operation carrier frequency is 2.45GHz and the communication distance was 480mm. The chip is thinned precisely by using an SOI buried oxide layer structure as an etch stop. An RFID antenna is connected to the chip by using a double-surface electrode. |
キーワード |
(和) |
CMOS / SOI技術 / RFID / 両面電極構造 / / / / |
(英) |
CMOS / SOI Technology / RFID / Double-Surface Electrode / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 207, ICD2006-87, pp. 47-50, 2006年8月. |
資料番号 |
ICD2006-87 |
発行日 |
2006-08-10 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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