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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-07-27 13:55 有機単一電子トランジスタの作製 ○野口 裕・久保田 徹・上門敏也・上田里永子・益子信郎（NICT） エレソ技報アーカイブへのリンク：  OME2006-55 |
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| 抄録 | （和） | 有機分子をクーロン島とした単一電子トランジスタ(有機SET)を試作した。素子はエレクトロマイグレーション法により作製したナノギャップ電極、クーロン島となる有機分子、およびゲート電極から成るバックゲート構造のSETである。ポルフィリン誘導体およびC$_{60}$を電極表面に付着させた素子の電気伝導特性には、いずれの場合にも11 Kで明確なSET特性を得ることが出来た。一方、分子を導入しない素子での対照実験では同様の特性は得られなかった。SET特性には、使用した分子に由来すると見られる励起準位も観測されていることから、目的とする有機SETが作製されたものと考えられる。 |
| （英） | We examined the fabrication of single-electron transistors (SETs) with a molecular Coulomb island. The device was consisted of a nanogap electrode, a molecular Coulomb island, and a back gate electrode. The nanogap electrode was fabricated by the electromigration method. The molecule used as the Coulomb island was porphyrin derivative or C$_{60}$. We could obtain the SET characteristics from the electron transport properties of both devices at 11 K. We have not obtained the similar characteristics from control experiments done on the devices without molecules. In addition, the excited states depending on the molecules used in the devices were also observed in the SET characteristics. We thus conclude that the molecular SETs were successfully fabricated. | |
| キーワード | （和） | 単一電子トランジスタ / ナノギャップ電極 / ポルフィリン / C$_{60}$ / / / / |
| （英） | single-electron transistor / nanogap electrode / porphyrin / C$_{60}$ / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 183, OME2006-55, pp. 27-31, 2006年7月. | |
| 資料番号 | OME2006-55 | |
| 発行日 | 2006-07-20 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2006-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2006-07-27 - 2006-07-27 |
| 開催地（和） | パシフィコ横浜 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 有機材料・一般 |
| テーマ（英） | Organic Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2006-07-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 有機単一電子トランジスタの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Organic Single-Electron Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単一電子トランジスタ / single-electron transistor |
| キーワード(2)（和/英） | ナノギャップ電極 / nanogap electrode |
| キーワード(3)（和/英） | ポルフィリン / porphyrin |
| キーワード(4)（和/英） | C$_{60}$ / C$_{60}$ |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 裕 / Yutaka Noguchi / ノグチ ユタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保田 徹 / Tohru Kubota / クボタ トオル |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上門 敏也 / Toshiya Kamikado / カミカド トシヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 里永子 / Rieko Ueda / ウエダ リエコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 益子 信郎 / Shinro Mashiko / マシコ シンロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-07-27 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2006-55 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.183 |
| ページ範囲 | pp.27-31 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2006-07-20 (OME) |
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