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講演抄録/キーワード
講演名 2006-06-30 10:10
高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作
伊賀龍三近藤康洋竹下達也岸 健志湯田正宏NTTエレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2006-16 LQE2006-20
抄録 (和) Ruthenium(Ru)をドープした高抵抗InP膜で埋込んだ構造の1.3ミクロン帯InGaAsP系MQW DFBレーザを作製し、高温における10Gb/s動作を評価した。この埋込み構造DFBレーザの光出力―注入電流(L-I)特性評価から、95℃において10mW以上の十分な光出力が得られ、120℃までCW発振することを確認した。小信号の変調特性評価から得られた緩和振動周波数(fr)は、95℃で10GHzと良好な値を示した。そして、10Gb/s直接変調時のアイパターン測定において0~100℃までの広い温度範囲で明瞭なアイ開口が実現できた。また85℃、光出力8mW一定におけるAPC通電試験では5000時間以上での安定動作を確認した。 
(英) We fabricated 1.3-um InGaAsP DFB lasers buried with a high-resistive ruthenium (Ru)-doped InP and evaluated 10Gb/s operation of the buried laser at high temperatures. The results of L-I characteristics showed that more than 10 mW of output power was obtained at 95 ℃ and CW operation up to 120 ℃ was observed. The high relaxation oscillation frequency of 10 GHz was obtained at 95 ℃. Clear eye openings under 10-Gbit/s direct modulation were achieved from 0 to 100 ℃. No significant degradation was observed for over 5000 hrs under APC mode with a constant output power of 8 mW at 85 ℃.
キーワード (和) 高抵抗Ru-InP / 埋込み構造 / Zn拡散抑制 / InGaAsP-MQW-DFBレーザ / 緩和振動周波数 / 10Gb/s直接変調 / 高温動作 /  
(英) high-resistive Ru-InP / buried structure / suppression of Zn diffusion / InGaAsP-MQW DFB laser / 10-Gb/s direct modulation / high temperature operation / relaxation oscillation frequency /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 134, LQE2006-20, pp. 7-10, 2006年6月.
資料番号 LQE2006-20 
発行日 2006-06-23 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2006-16 LQE2006-20

研究会情報
研究会 OPE LQE  
開催期間 2006-06-30 - 2006-06-30 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般(材料デバイスサマーミーティング) 
テーマ(英) Quantum Effect Optical Devices (optical signal processing, LD, optical amplification, modulation etc.) and Photonic Integrations [ES Summer Meeting on Materials and Devices] 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2006-06-OPE-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 100℃ 10-Gb/s operation of 1.3-μm InGaAsP DFB lasers with Ru-doped semi-insulating buried heterostructure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 高抵抗Ru-InP / high-resistive Ru-InP  
キーワード(2)(和/英) 埋込み構造 / buried structure  
キーワード(3)(和/英) Zn拡散抑制 / suppression of Zn diffusion  
キーワード(4)(和/英) InGaAsP-MQW-DFBレーザ / InGaAsP-MQW DFB laser  
キーワード(5)(和/英) 緩和振動周波数 / 10-Gb/s direct modulation  
キーワード(6)(和/英) 10Gb/s直接変調 / high temperature operation  
キーワード(7)(和/英) 高温動作 / relaxation oscillation frequency  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊賀 龍三 / Ryuzo Iga / イガ リュウゾウ
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話(株) (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corp. (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 近藤 康洋 / Yasuhiro Kondo / コンドウ ヤスヒロ
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話(株) (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corp. (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹下 達也 / Tatsuya Takeshita / タケシタ タツヤ
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話(株) (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corp. (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸 健志 / Kenji Kishi / キシ ケンジ
第4著者 所属(和/英) 日本電信電話(株) (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corp. (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 湯田 正宏 / Masahiro Yuda / ユダ マサヒロ
第5著者 所属(和/英) 日本電信電話(株) (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corp. (略称: NTT)
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講演者
発表日時 2006-06-30 10:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OPE2006-16,IEICE-LQE2006-20 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.133(OPE), no.134(LQE) 
ページ範囲 pp.7-10 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2006-06-23,IEICE-LQE-2006-06-23 


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