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講演抄録/キーワード
講演名 2006-06-30 11:00
1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ ~ 20℃~90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作 ~
石田 充羽鳥伸明東大)・大坪孝二山本剛之光協会/富士通/富士通研)・中田義昭江部広治東大)・菅原 充光協会/富士通/富士通研/QDレーザ)・荒川泰彦東大エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2006-18 LQE2006-22
抄録 (和) 量子ドットレーザの様々な優れた特性が近年実証されつつある.我々は新たに提案してきた量子ドットレーザの動作モデルをもとに,量子ドット層の多層化により高利得化した活性層構造でダンピングによる帯域制限を緩和するように短共振器構造を最適化するとともに,量子ドット活性層近傍へのpドープによって温度依存性を低減することで,変調電流25.4 mAP-P,バイアス電流23.4mAという低い駆動電流での10Gb/s動作を,20~90℃へと周囲温度が変化しても駆動電流無調整で実現した.さらに,この動作モデルを用いて量子ドットレーザの高速化への指針を明らかにする. 
(英) Various distinguishable characteristics of quantum dot lasers have been achieved recently. In this report, we realized driving-current-control-free 10Gb/s operation of quantum dot lasers in the temperature range 20-90℃ with low-driving-current condition, where modulation current was 25.4-mAp-p and bias current was 23.4-mA. This achievement was owing to both the optimum design, which was based on the newly proposed quantum dot laser operation model, of short cavity structure to relax damping limited maximum modulation bandwidth using quantum dot active region with enhanced optical gain by multiple quantum-dot layers stacking, and application of p-doping to the nearby active region to reduce temperature sensitivity. Further more, we also clarified criteria for high-speed quantum dot lasers.
キーワード (和) 量子ドット / 量子ドットレーザ / / / / / /  
(英) Quantum Dot / Quantum Dot Laser / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 134, LQE2006-22, pp. 15-20, 2006年6月.
資料番号 LQE2006-22 
発行日 2006-06-23 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2006-18 LQE2006-22

研究会情報
研究会 OPE LQE  
開催期間 2006-06-30 - 2006-06-30 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般(材料デバイスサマーミーティング) 
テーマ(英) Quantum Effect Optical Devices (optical signal processing, LD, optical amplification, modulation etc.) and Photonic Integrations [ES Summer Meeting on Materials and Devices] 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2006-06-OPE-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ 
サブタイトル(和) 20℃~90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作 
タイトル(英) 1.3μm p-doped quantum dot lasers 
サブタイトル(英) low driving current temperature stable 10 Gb/s direct modulation between 20℃ and 90℃ 
キーワード(1)(和/英) 量子ドット / Quantum Dot  
キーワード(2)(和/英) 量子ドットレーザ / Quantum Dot Laser  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 石田 充 / Mitsuru Ishida / イシダ ミツル
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 羽鳥 伸明 / Nobuaki Hatori / ハトリ ノブアキ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大坪 孝二 / Koji Otsubo / オオツボ コウジ
第3著者 所属(和/英) 富士通、光産業技術振興協会 (略称: 光協会/富士通/富士通研)
Fujitsu Ltd. and OITDA (略称: Fujitsu and OITDA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 剛之 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ
第4著者 所属(和/英) 富士通、光産業技術振興協会 (略称: 光協会/富士通/富士通研)
Fujitsu Ltd. and OITDA (略称: Fujitsu and OITDA)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中田 義昭 / Yoshiaki Nakata / ナカタ ヨシアキ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 江部 広治 / Hiroji Ebe / エベ ヒロジ
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅原 充 / Mitsuru Sugawara / スガワラ ミツル
第7著者 所属(和/英) 富士通、光産業技術振興協会 (略称: 光協会/富士通/富士通研/QDレーザ)
Fujitsu Ltd. and OITDA (略称: Fujitsu and OITDA)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-06-30 11:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 OPE2006-18, LQE2006-22 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.133(OPE), no.134(LQE) 
ページ範囲 pp.15-20 
ページ数
発行日 2006-06-23 (OPE, LQE) 


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