講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-06-30 11:00
1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ ~ 20℃~90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作 ~ ○石田 充・羽鳥伸明(東大)・大坪孝二・山本剛之(光協会/富士通/富士通研)・中田義昭・江部広治(東大)・菅原 充(光協会/富士通/富士通研/QDレーザ)・荒川泰彦(東大) エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2006-18 LQE2006-22 |
抄録 |
(和) |
量子ドットレーザの様々な優れた特性が近年実証されつつある.我々は新たに提案してきた量子ドットレーザの動作モデルをもとに,量子ドット層の多層化により高利得化した活性層構造でダンピングによる帯域制限を緩和するように短共振器構造を最適化するとともに,量子ドット活性層近傍へのpドープによって温度依存性を低減することで,変調電流25.4 mAP-P,バイアス電流23.4mAという低い駆動電流での10Gb/s動作を,20~90℃へと周囲温度が変化しても駆動電流無調整で実現した.さらに,この動作モデルを用いて量子ドットレーザの高速化への指針を明らかにする. |
(英) |
Various distinguishable characteristics of quantum dot lasers have been achieved recently. In this report, we realized driving-current-control-free 10Gb/s operation of quantum dot lasers in the temperature range 20-90℃ with low-driving-current condition, where modulation current was 25.4-mAp-p and bias current was 23.4-mA. This achievement was owing to both the optimum design, which was based on the newly proposed quantum dot laser operation model, of short cavity structure to relax damping limited maximum modulation bandwidth using quantum dot active region with enhanced optical gain by multiple quantum-dot layers stacking, and application of p-doping to the nearby active region to reduce temperature sensitivity. Further more, we also clarified criteria for high-speed quantum dot lasers. |
キーワード |
(和) |
量子ドット / 量子ドットレーザ / / / / / / |
(英) |
Quantum Dot / Quantum Dot Laser / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 134, LQE2006-22, pp. 15-20, 2006年6月. |
資料番号 |
LQE2006-22 |
発行日 |
2006-06-23 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
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