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講演抄録/キーワード
講演名 2006-06-22 10:30
角度分解光電子分光を用いたSiO2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析
豊田智史岡林 潤尾嶋正治東大)・劉 国林劉 紫園池田和人臼田宏治半導体理工学研究センターエレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-55
抄録 (和) 酸窒化膜の窒素濃度分布および化学結合状態はトランジスタの特性および構造を理解するために重要である。角度分解光電子分光法は薄膜の深さ方向元素濃度分析が可能であり、幅広く用いられている。しかしながら、光電子強度の解析法に強く依存してしまうことから、定量的な評価は一般的に難しい。そこで、定量的な窒素濃度分布の解析法として、最大エントロピー法を用いた解析プログラムを開発し、実験データに適用した。 
(英) Nitrogen in-depth profile and chemical states in Si oxynitride films are important to understand characteristics of the transistors and structure of the gate insulators. Angle-resolved photoelectron spectroscopy is widely utilized to probe the chemical states and the atomic concentration along the depth in thin films. However, it is generally difficult to perform quantitative analysis because the depth profile strongly depends on analytical methods for the intensity of the photoelectron spectra. We have developed a new program based on the maximum-entropy method for quantitative analysis of nitrogen in-depth profile and applied for experimental data.
キーワード (和) 角度分解光電子分光 / 最大エントロピー法 / 深さ方向分析 / 化学結合状態 / / / /  
(英) angle-resolved photoelectron spectroscopy / maximum-entropy method / in-depth profile / chemical states / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-55, pp. 77-80, 2006年6月.
資料番号 SDM2006-55 
発行日 2006-06-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-55

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2006-06-21 - 2006-06-22 
開催地(和) 広島大学, 学士会館 
開催地(英) Faculty Club, Hiroshima Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 
テーマ(英) Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2006-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 角度分解光電子分光を用いたSiO2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis of nitrogen depth profile in SiO2/SiN stacks studied by angle-resolved photoemission spectroscopy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 角度分解光電子分光 / angle-resolved photoelectron spectroscopy  
キーワード(2)(和/英) 最大エントロピー法 / maximum-entropy method  
キーワード(3)(和/英) 深さ方向分析 / in-depth profile  
キーワード(4)(和/英) 化学結合状態 / chemical states  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 豊田 智史 / Satoshi Toyoda / トヨダ サトシ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Tokyo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡林 潤 / Jun Okabayashi / オカバヤシ ジュン
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Tokyo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾嶋 正治 / Masaharu Oshima / オシマ マサハル
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Tokyo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 劉 国林 / Guo-Lin Liu / リュウ コクリン
第4著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 劉 紫園 / Ziyuan Liu / リュウ シオン
第5著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 和人 / Kazuto Ikeda / イケダ カズト
第6著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 臼田 宏治 / Koji Usuda / ウスダ コウジ
第7著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
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講演者
発表日時 2006-06-22 10:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2006-55 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.108 
ページ範囲 pp.77-80 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2006-06-14 


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