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| 講演名 | 2006-06-22 10:55 窒素高濃度極薄SiON膜のVtb改善メカニズム ○松下大介・村岡浩一・中崎 靖・加藤弘一・菊地祥子・佐久間 究・三谷祐一郎・高柳万里子・江口和弘（東芝） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2006-56 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-56, pp. 81-86, 2006年6月. | |
| 資料番号 | SDM2006-56 | |
| 発行日 | 2006-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2006-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） | 広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） | Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） | Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2006-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒素高濃度極薄SiON膜のVtb改善メカニズム |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of SiON films with small ΔVfb |
| サブタイトル（英） | |
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| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松下 大介 / Daisuke Matsushita / マツシタ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー (略称： 東芝) Advanced LSI Technology Laboratory,Toshiba Corporation (略称： toshiba R&D center) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村岡 浩一 / Koichi Muraoka / ムラオカ コウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー (略称： 東芝) Advanced LSI Technology Laboratory,Toshiba Corporation (略称： toshiba R&D center) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中崎 靖 / Yasushi Nakasaki / ナカサキ ヤスシ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー (略称： 東芝) Advanced LSI Technology Laboratory,Toshiba Corporation (略称： toshiba R&D center) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 弘一 / Koichi Kato / カトウ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー (略称： 東芝) Advanced LSI Technology Laboratory,Toshiba Corporation (略称： toshiba R&D center) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊地 祥子 / Shoko Kikuchi / キクチ ショウコ |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー (略称： 東芝) Advanced LSI Technology Laboratory,Toshiba Corporation (略称： toshiba R&D center) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐久間 究 / Kiwamu Sakuma / サクマ キワム |
| 第6著者 所属（和/英） | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー (略称： 東芝) Advanced LSI Technology Laboratory,Toshiba Corporation (略称： toshiba R&D center) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三谷 祐一郎 / Yuichiro Mitani / ミタニ ユウイチロウ |
| 第7著者 所属（和/英） | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー (略称： 東芝) Advanced LSI Technology Laboratory,Toshiba Corporation (略称： toshiba R&D center) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高柳 万里子 / Mariko Takayanagi / タカヤナギ マリコ |
| 第8著者 所属（和/英） | （株）東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company (略称： Semiconductor Company) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江口 和弘 / Kazuhiro Eguchi / エグチ カズヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | （株）東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company (略称： Semiconductor Company) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-06-22 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2006-56 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.81-86 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-06-14 (SDM) |
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