お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年7月開催)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2006-06-22 09:00
Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い ~ リアルタイム光電子分光測定から ~
末光眞希加藤 篤富樫秀晃今野篤史東北大)・寺岡有殿吉越章隆原子力機構)・成田 克九工大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-52
抄録 (和) Si(110)-16´2 表面の初期酸化過程をリアルタイム光電子分光法により評価し,Si(100)面酸化と比較した.Si(110)表面ドライ酸化は酸素導入開始直後に表面の数分の1原子層が直ちに酸化される急速初期酸化を示す.急速初期酸化は結合エネルギーの弱いO1s状態の発展を伴い,酸化の進行に従って,より結合エネルギーの高いO1s状態がより強く発展する.急速初期酸化は16´2 再配列構造に含まれるとされるSi(111)ライクな表面アドアトム近傍の酸化と関係付けられる. 
(英) By using real-time photoemission spectroscopy, kinetics of initial oxidation of Si(110)-16´2 surface has been investigated and is compared with that of Si(100) surface. Dry oxidation of Si(110) shows rapid initial oxidation just after introduction of the oxygen, which is associated with an O1s state with a weaker binding energy. As the oxidation proceeds, another O1s state with a stronger binding energy develops. The rapid initial oxidation is related to oxidation at or around the Si(111)-like Si adatoms, which are reportedly present in the 16´2 reconstruction of the Si(110) surface.
キーワード (和) Si表面 / Si(110) / ドライ酸化 / 放射光 / 光電子分光 / / /  
(英) Si surface / Si(110) / Dry oxidation / Synchrotron Radiation / Photoemission Spectroscopy / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-52, pp. 61-63, 2006年6月.
資料番号 SDM2006-52 
発行日 2006-06-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-52

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2006-06-21 - 2006-06-22 
開催地(和) 広島大学, 学士会館 
開催地(英) Faculty Club, Hiroshima Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 
テーマ(英) Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2006-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い 
サブタイトル(和) リアルタイム光電子分光測定から 
タイトル(英) Comparison between Si(110) and Si(100) Surfaces in their Kinetics of Initial Oxidation 
サブタイトル(英) From Real-time XPS Measurements 
キーワード(1)(和/英) Si表面 / Si surface  
キーワード(2)(和/英) Si(110) / Si(110)  
キーワード(3)(和/英) ドライ酸化 / Dry oxidation  
キーワード(4)(和/英) 放射光 / Synchrotron Radiation  
キーワード(5)(和/英) 光電子分光 / Photoemission Spectroscopy  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 篤 / Atsushi Kato / カトウ アツシ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 富樫 秀晃 / Hideaki Togashi / トガシ ヒデアキ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 今野 篤史 / Atsushi Konno / コンノ アツシ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺岡 有殿 / Yuden Teraoka / テラオカ ユウデン
第5著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉越 章隆 / Akitaka Yoshigoe / ヨシゴエ アキタカ
第6著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル
第7著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: KIT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2006-06-22 09:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2006-52 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.108 
ページ範囲 pp.61-63 
ページ数 IEICE-3 
発行日 IEICE-SDM-2006-06-14 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会