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講演抄録/キーワード
講演名 2006-06-22 15:30
Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察
土屋義規吉木昌彦木下敦寛小山正人古賀淳二西山 彰東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-64
抄録 (和) ゲート電極のメタル化技術(メタルゲート技術)における技術的課題である仕事関数(Φeff)制御について、我々の最近の検討結果を報告する。まず、メタルゲート構造の有力な候補であるNi-FUSI(fully silicided)電極に関して、不純物添加によるΦeff変調現象の物理的機構について検討した結果を紹介する。具体的には、FUSI電極形成後に不純物添加する方法により、偏析不純物効果がΦeff変調の主要因であることを明らかにした。さらに、光電子分光分析により界面の不純物の結合状態を評価した結果、界面における不純物の偏析位置の違いが仕事関数の変調方向を反転させることが分かった。また、ジャーマナイド材料のΦeffを系統的に調べ、FUGE(Fully-germanided)電極構造によりFUSI技術では不可能な範囲でのΦeff制御が実現できることを見出した。 
(英) In this paper, we show the results of our recent work on work function control in metal gate, which is one of the most difficult challenges for achieving future high-performance CMIS devices. First, we investigated the physical mechanism of work function modulation caused by impurity pileup at Ni-FUSI gate interface. We clarified that the pileup of impurity atoms mainly modulates Φeff values of Ni silicide using the impurity implantation process after FUSI formation. We proposed and verified a new model in which the position and concentration of impurities at interface determine the direction and the extent of Φeff modulation, respectively, based on physical analyses. In addition, we found germanide gates reveal work function values covering NMOS, midgap and PMOS gates.
キーワード (和) FUSI / Fully-silicided / FUGE / Fully-germanided / metal gate / work function / impurity /  
(英) FUSI / Fully-silicided / FUGE / Fully-germanided / metal gate / work function / impurity /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-64, pp. 125-130, 2006年6月.
資料番号 SDM2006-64 
発行日 2006-06-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-64

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2006-06-21 - 2006-06-22 
開催地(和) 広島大学, 学士会館 
開催地(英) Faculty Club, Hiroshima Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 
テーマ(英) Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2006-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Work Functions at Impurity Pileup Ni-FUSI/SiO(N) Interface and FUGE(Fully Germanided) gates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) FUSI / FUSI  
キーワード(2)(和/英) Fully-silicided / Fully-silicided  
キーワード(3)(和/英) FUGE / FUGE  
キーワード(4)(和/英) Fully-germanided / Fully-germanided  
キーワード(5)(和/英) metal gate / metal gate  
キーワード(6)(和/英) work function / work function  
キーワード(7)(和/英) impurity / impurity  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 土屋 義規 / Yoshinori Tsuchiya / ツチヤ ヨシノリ
第1著者 所属(和/英) (株)東芝 研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co,)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉木 昌彦 / Masahiko Yoshiki / ヨシキ マサヒコ
第2著者 所属(和/英) (株)東芝 研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co,)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 敦寛 / Atsuhiro Kinoshita / キノシタ アツヒロ
第3著者 所属(和/英) (株)東芝 研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co,)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 正人 / Masato Koyama / コヤマ マサト
第4著者 所属(和/英) (株)東芝 研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co,)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 古賀 淳二 / Junji Koga / コガ ジュンジ
第5著者 所属(和/英) (株)東芝 研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co,)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 彰 / Akira Nishiyama / ニシヤマ アキラ
第6著者 所属(和/英) (株)東芝 研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co,)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-06-22 15:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2006-64 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.108 
ページ範囲 pp.125-130 
ページ数
発行日 2006-06-14 (SDM) 


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