| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-06-22 15:05 XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定 ○鈴木治彦・長谷川 覚・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（武蔵工大/東工大）・山脇師之・鈴木信子（総研大）・小林大輔・廣瀬和之（JAXA） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2006-63 |
|
| 抄録 | （和） | MOSデバイスの微細化に伴い、ゲートSiO2膜の厚さは0.8nmにまで達した。このような極薄膜の領域では、金属/SiO2界面のバリアハイトは測定されていない。本研究ではXPSを用いてSiO2膜1.0nm以下のAu/SiO2界面のバリアハイトを測定する。界面バリアハイトをXPSで測定する方法として、XPSでSi2p束縛エネルギーから求める方法と、カットオフエネルギーから求める方法の二つを適用した結果を報告する。 |
| （英） | As a result of ongoing scale-down of Si-MOS devices, gate SiO2 films have been thinned down to 0.8 nm. In this study, the metal/SiO2 barrier height for ultrathin SiO2 films of less than 1-nm thickness has been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). | |
| キーワード | （和） | 絶縁膜 / XPS / バリアハイト / 極薄SiO2膜 / 金属/SiO2界面 / / / |
| （英） | XPS / Barrier height / Metal/SiO2 / Ultrathin SiO2 / Insulator / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-63, pp. 119-124, 2006年6月. | |
| 資料番号 | SDM2006-63 | |
| 発行日 | 2006-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2006-63 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） | 広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） | Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） | Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2006-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定 |
| サブタイトル（和） | * |
| タイトル（英） | XPS studies on barrier height at Au/ultra-thin SiO2 interface |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | 絶縁膜 / XPS |
| キーワード(2)（和/英） | XPS / Barrier height |
| キーワード(3)（和/英） | バリアハイト / Metal/SiO2 |
| キーワード(4)（和/英） | 極薄SiO2膜 / Ultrathin SiO2 |
| キーワード(5)（和/英） | 金属/SiO2界面 / Insulator |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 治彦 / Haruhiko Suzuki / スズキ ハルヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 (略称： 武蔵工大) Musashi institute of Technology (略称： Musashi inst technol) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 覚 / Akira Hasegawa / ハセガワ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 (略称： 武蔵工大) Musashi institute of Technology (略称： Musashi inst technol) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野平 博司 / Hiroshi Nohira / ノヒラ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 (略称： 武蔵工大) Musashi institute of Technology (略称： Musashi inst technol) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 (略称： 武蔵工大/東工大) Musashi institute of Technology (略称： Musashi inst technol) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山脇 師之 / Moroyuki Yamawaki / ヤマワキ モロユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 総合研究大学院大学 (略称： 総研大) The Graduate University for Advanced Studies (略称： SOKENDAI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 信子 / Nobuko Suzuki / スズキ ノブコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 総合研究大学院大学 (略称： 総研大) The Graduate University for Advanced Studies (略称： SOKENDAI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 大輔 / Daisuke Kobayashi / コバヤシ ダイスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 宇宙科学研究本部 (略称： JAXA) Institute of Space and Astronautical Science (略称： ISAS) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 和之 / Kazuyuki Hirose / ヒロセ カズユキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 宇宙科学研究本部 (略称： JAXA) Institute of Space and Astronautical Science (略称： ISAS) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-06-22 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2006-63 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.119-124 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-06-14 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]