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講演抄録/キーワード
講演名 2006-06-21 16:00
金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響
大毛利健治物質・材料研究機構)・Parhat Ahmet東工大)・白石賢二筑波大)・渡部平司阪大)・赤坂泰志半導体先端テクノロジーズ)・山部紀久雄筑波大)・吉武道子物質・材料研究機構)・K. S. ChangM. L. GreenNIST)・奈良安雄半導体先端テクノロジーズ)・山田啓作早大)・知京豊裕物質・材料研究機構エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-48
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文献情報 信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-48, pp. 37-41, 2006年6月.
資料番号 SDM2006-48 
発行日 2006-06-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2006-06-21 - 2006-06-22 
開催地(和) 広島大学, 学士会館 
開催地(英) Faculty Club, Hiroshima Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 
テーマ(英) Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2006-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electric Properties on High-k Capacitors with Work-Function Tuned Metal Electrodes 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大毛利 健治 / Kenji Ohmori / オオモリ ケンジ
第1著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Parhat Ahmet / Parhat Ahmet / パールハット アーメット
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
Univ. of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka Univ. (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤坂 泰志 / Yasushi Akasaka / アカサカ ヤスシ
第5著者 所属(和/英) 半導体テクノロジーズ (略称: 半導体先端テクノロジーズ)
Semiconductor Leading Edge Technologies (略称: Selete)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山部 紀久雄 / Kikuo Yamabe / ヤマベ キクオ
第6著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
Univ. of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉武 道子 / Michiko Yoshitake / ヨシタケ ミチコ
第7著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) K. S. Chang / K. S. Chang /
第8著者 所属(和/英) National Institute for Standards and Technology (略称: NIST)
National Institute for Standards and Technology (略称: NIST)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) M. L. Green / M. L. Green /
第9著者 所属(和/英) National Institute for Standards and Technology (略称: NIST)
National Institute for Standards and Technology (略称: NIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 奈良 安雄 / Yasuo Nara / ナラ ヤスオ
第10著者 所属(和/英) 半導体テクノロジーズ (略称: 半導体先端テクノロジーズ)
Semiconductor Leading Edge Technologies (略称: Selete)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 啓作 / Keisaku Yamada / ヤマダ ケイサク
第11著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda Univ. (略称: Waseda Univ.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 知京 豊裕 / Toyohiro Chikyow / チキョウ トヨヒロ
第12著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
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講演者
発表日時 2006-06-21 16:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2006-48 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.108 
ページ範囲 pp.37-41 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2006-06-14 


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