講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-06-02 17:10
半導体レーザの発振周波数安定化に直接変調方式を用いた際の変調周波数と変調幅の影響 ~ Rb原子の飽和吸収分光法による安定化 ~ ○中野健司・前原進也・太田悠一・関谷泰博・柳沢充佑・佐藤 孝・丸山武男・大河正志(新潟大)・坪川恒也(国立天文台) エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2006-16 |
抄録 |
(和) |
半導体レーザのコヒーレンスを改善して利用する応用を想定し,広帯域かつ高安定な周波数基準の構築を行ってきた.これまでの研究では,広帯域にスペクトルを持つエタロンを絶対的に安定なRb原子の飽和吸収分光法による吸収線を用いて制御することを検討してきた.今回は,更にRb原子の飽和吸収分光法による吸収線を用いた安定度の向上を目指し、安定化の制御信号を得るために加える直接変調信号の変調周波数と変調幅を変えて安定化を行いその影響について検討した. |
(英) |
We have improved the frequency stabilization system of a semiconductor laser, which uses a Fabry-Perot etalon as a frequency reference, by controlling the etalon spectrum using the Rb absorption line. Because the stabilization system using the etalon has a wide control range but a defect in its long-term stability, we combined the etalon system with the atomic absorption system, which can provide the control signal for the long-term stabilization. This paper reports an experiment using the saturated absorption spectroscopy of the Rb absorption line to obtain the control signal for the etalon and then to improve the frequency stability of the semiconductor laser. |
キーワード |
(和) |
半導体レーザ / 発振周波数 / 安定化 / 周波数基準 / Rb吸収線 / / / |
(英) |
semiconductor laser / oscillation frequency / stabilization / frequency standard / Rb absorption line / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 90, LQE2006-16, pp. 75-80, 2006年6月. |
資料番号 |
LQE2006-16 |
発行日 |
2006-05-26 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
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