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講演抄録/キーワード
講演名 2006-05-25 15:45
[特別招待講演]Deep Sub-100nmの設計チャレンジ
古山 透東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-29
抄録 (和) ムーアの法則とスケーリング則は、長期に渡り半導体の発展の
支柱となって来た。しかし100nmを下回る技術世代になり、
それまでは問題にならなかった課題が表面化し、ムーアの法則を
維持することは極めて難しくなりつつある。課題とは、素子の
バラツキ拡大、消費電力の増大、大規模SoC開発の技術的・
経済的な困難、などである。本講演では、低電力技術を始め、
これらの課題への様々な技術的側面からの取り組みを紹介する。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) ムーアの法則 / スケーリング則 / 素子のバラツキ / リーク電流 / 低電力技術 / SoCの開発効率 / リソグラフィの限界 /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 71, ICD2006-29, pp. 43-48, 2006年5月.
資料番号 ICD2006-29 
発行日 2006-05-18 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-29

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2006-05-25 - 2006-05-26 
開催地(和) 神戸大学 
開催地(英) Kobe University 
テーマ(和) VLSI一般(ISSCC2006特集)<オーガナイザ:吉本 雅彦(神戸大学)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2006-05-ICD 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) Deep Sub-100nmの設計チャレンジ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Deep Sub-100nm Design Challenges 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ムーアの法則 /  
キーワード(2)(和/英) スケーリング則 /  
キーワード(3)(和/英) 素子のバラツキ /  
キーワード(4)(和/英) リーク電流 /  
キーワード(5)(和/英) 低電力技術 /  
キーワード(6)(和/英) SoCの開発効率 /  
キーワード(7)(和/英) リソグラフィの限界 /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 古山 透 / Tohru Furuyama / フルヤマ トオル
第1著者 所属(和/英) (株)東芝 半導体研究開発センター (略称: 東芝)
Center for Semiconductor Research and Development,Toshiba Corp. (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-05-25 15:45:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2006-29 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.71 
ページ範囲 pp.43-48 
ページ数
発行日 2006-05-18 (ICD) 


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