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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-05-19 10:15 Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造 ○梅野和行・金 聖晩・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2006-32 CPM2006-19 SDM2006-32 |
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| 抄録 | （和） | SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし，直接遷移型InGaPN/GaPN量子井戸(QW)構造をRF-MBE法により500ºCで成長した．Band Anti-Crossing モデルを仮定してInGaPNのバンドギャップを求め，InGaPN/GaPN歪QW構造のバンドアラインメントを推定した．その結果，1~2 %のN組成を有するInGaPN/GaPN QW構造において，価電子帯バンドオフセットは200~300 meV得られるが，伝導帯バンドオフセットはほとんど得られないことが明らかになった．300 meV以上の伝導帯バンドオフセットを得るためには，井戸層に4 %以上のNを必要とすることを示した． |
| （英） | Direct-transition InGaPN/GaPN quantum well (QW) structures were grown on GaP substrates by RF-MBE at 500ºC for application of light emitting devices in monolithic optoelectronic integrated circuits (OEICs) on Si substrates. The bandgap of InGaPN alloys was calculated by the Band Anti-Crossing (BAC) model. The band alignments of the InGaPN/GaPN strained QW structures were estimated. As a result, the valence band offsets of the InGaPN/GaPN QWs with N concentration of 1~2 % were 200~300 meV, while conduction band offsets were very small. It was shown that an InGaPN quantum well layer needed an N concentration more than ~4% to obtain the conduction band offset above 300 meV. | |
| キーワード | （和） | Si / 光電子集積回路 / InGaPN / GaAsPN / III-V-N / 希薄窒化物 / 光インターコネクション / OEIC |
| （英） | Si / OEIC / InGaPN / GaAsPN / III-V-N / dilute nitride / optical interconnection / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 45, ED2006-32, pp. 67-72, 2006年5月. | |
| 資料番号 | ED2006-32 | |
| 発行日 | 2006-05-11 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2006-32 CPM2006-19 SDM2006-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2006-05-18 - 2006-05-19 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi University of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、その他の電子材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2006-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaPN/GaPN Quantum Well Structures for Si/III-V-N Optoelectronic Integrated Circuits |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(3)（和/英） | InGaPN / InGaPN |
| キーワード(4)（和/英） | GaAsPN / GaAsPN |
| キーワード(5)（和/英） | III-V-N / III-V-N |
| キーワード(6)（和/英） | 希薄窒化物 / dilute nitride |
| キーワード(7)（和/英） | 光インターコネクション / optical interconnection |
| キーワード(8)（和/英） | OEIC / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅野 和行 / Kazuyuki Umeno / ウメノ カズユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 聖晩 / Sung Man Kim / キム サンマン |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 雄三 / Yuzo Furukawa / フルカワ ユウゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米津 宏雄 / Hiroo Yonezu / ヨネヅ ヒロオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-05-19 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2006-32, CPM2006-19, SDM2006-32 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.45(ED), no.46(CPM), no.47(SDM) |
| ページ範囲 | pp.67-72 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-05-11 (ED, CPM, SDM) |
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