講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-04-21 14:55
4インチ・ウエハプロセスによるDVD記録装置用高出力レーザ ○住友弘幸・梶山 訓・小栗裕之・坂下 武・堂本新一・中尾健誠・山本 達・駒谷 務・川久保弘史・小野将徳・前島俊昭・和泉茂一(ユーディナデバイス) エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2006-5 OPE2006-5 |
抄録 |
(和) |
今回我々は,4インチウエハ量産プロセスによる650nm帯単一横モード高出力レーザの作製に世界で初めて成功した.4インチ化において,4インチ導電性GaAs基板の結晶品質がレーザ特性に大きく影響することを確認した.また,電子デバイスで実績のあるプロセスを適用することにより,高精度かつ面内高均一なウエハプロセスを確立し,高いスループットでの高出力且つ高信頼度なレーザの製造を実現した.作製したレーザ素子は,4インチウエハ面内での分布(標準偏差/平均値)はしきい値Ithで±2.3 %,効率で±1.1 %に抑えられている.350mW以上の高光出力は,600mA以下の駆動電流値で実現されており,80℃の高温においてもキンクフリーで良好な光出力特性を示している.また,リッジ形状の最適化および素子抵抗の低減によって,350mWにおける駆動電圧を3.0V程度に抑え,低消費電力なレーザを実現した.本レーザは,2層DVD±R/RWディスクへの8倍速以上の記録型DVD装置に適用可能と考えられる. |
(英) |
We have successfully fabricated 650-nm band single lateral-mode high-power laser diodes (LDs) by using the 4-inch full-wafer process technology. We realized the high throughput LD production with high-power and reliable performances. The LD characteristics show excellent uniformity over a 88mm diameter area of the 4-inch wafer, e.g. (standard deviation/average) = ±2.3 % for Ith, and ±1.1 % for slope efficiency. The output power more than 350 mW had been obtained with stable lateral mode operation under the operation current 600 mA even at the high temperature 80 ℃. In addition, the operation voltage had been suppressed around 3.0 V even at high power operation by optimizing the ridge formation process and reducing the series resistance. These results confer the promising way to realize the high-speed (over 8×) dual layer recordable DVD systems. |
キーワード |
(和) |
半導体レーザ / 4インチ / 高出力 / DVD / AlGaInP / / / |
(英) |
Laser Diode / 4 inch / High Power / DVD / AlGaInP / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 17, R2006-5, pp. 23-28, 2006年4月. |
資料番号 |
R2006-5 |
発行日 |
2006-04-14 (R, CPM, OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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