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講演抄録/キーワード
講演名 2006-04-13 09:20
DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 ~ 接合リーク電流の2値変動 ~
毛利友紀日立)・大湯靜憲小此木堅祐エルピーダメモリ)・○山田廉一日立エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-1
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文献情報 信学技報, vol. 106, no. 2, ICD2006-1, pp. 1-6, 2006年4月.
資料番号 ICD2006-1 
発行日 2006-04-06 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-1

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2006-04-13 - 2006-04-14 
開催地(和) 大分大学 
開催地(英) Oita University 
テーマ(和) 新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ:山内寛行(福岡工業大学)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2006-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 
サブタイトル(和) 接合リーク電流の2値変動 
タイトル(英) The Origin of Variable Retention Time in DRAM 
サブタイトル(英) Fluctuation of Junction Leakage 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 毛利 友紀 / Yuki Mori / モウリ ユキ
第1著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi CRL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大湯 靜憲 / Kiyonori Ohyu / オオユ キヨノリ
第2著者 所属(和/英) エルピーダメモリ株式会社 (略称: エルピーダメモリ)
Elpoida memory, Inc. (略称: Elpida)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小此木 堅祐 / Kensuke Okonogi / オコノギ ケンスケ
第3著者 所属(和/英) エルピーダメモリ株式会社 (略称: エルピーダメモリ)
Elpoida memory, Inc. (略称: Elpida)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 廉一 / Renichi Yamada / ヤマダ レンイチ
第4著者 所属(和/英) 日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi CRL)
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講演者
発表日時 2006-04-13 09:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2006-1 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.2 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2006-04-06 


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