電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2006-04-13 11:35
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
中島博臣南 良博篠 智彰東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・楠 直樹藤田勝之初田幸輔大澤 隆青木伸俊谷本弘吉森門六月生井納和美浜本毅司仁田山晃寛東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-5
抄録 (和) SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb SOI DRAMを試作し良好な結果を得た.フルファンクションと良好なリテンション特性を得るためにウェル構造の最適化を行い,配線抵抗増大による信号劣化を抑えるためにソース線とビット線にCu配線を採用した. 
(英) A 128Mb SOI DRAM with FBC (Floating Body Cell) has been successfully developed for the first time. In order to realize full functionality and good retention characteristics, the well design has been optimized. Cu wiring has been used for Bit Line(BL) and Source Line(SL), which leads to increasing the signal of the worst bit in the array and also realizes the full compatibility with 90nm CMOS Technology.
キーワード (和) FBC / SOI / DRAM / Cu / メモリ / 混載 / 90nm / CMOS  
(英) FBC / SOI / DRAM / Cu / Memory / Embeded / 90nm / CMOS  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 2, ICD2006-5, pp. 25-30, 2006年4月.
資料番号 ICD2006-5 
発行日 2006-04-06 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-5

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2006-04-13 - 2006-04-14 
開催地(和) 大分大学 
開催地(英) Oita University 
テーマ(和) 新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ:山内寛行(福岡工業大学)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2006-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Technology development of 128Mb-FBC(Floating Body Cell) Memory by 90nm node CMOS process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) FBC / FBC  
キーワード(2)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(3)(和/英) DRAM / DRAM  
キーワード(4)(和/英) Cu / Cu  
キーワード(5)(和/英) メモリ / Memory  
キーワード(6)(和/英) 混載 / Embeded  
キーワード(7)(和/英) 90nm / 90nm  
キーワード(8)(和/英) CMOS / CMOS  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中島 博臣 / Hiroomi Nakajima / ナカジマ ヒロオミ
第1著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 南 良博 / Yoshihiro Minami / ミナミ ヨシヒロ
第2著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠 智彰 / Tomoaki Shino / シノ トモアキ
第3著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂本 篤史 / Atsushi Sakamoto / サカモト アツシ
第4著者 所属(和/英) 東芝情報システム(株) (略称: 東芝情報システム)
Toshiba Information Systems(Japan) Corp. (略称: TJ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 東 知輝 / Tomoki Higashi / ヒガシ トモキ
第5著者 所属(和/英) 東芝マイクロエレクトロニクス(株) (略称: 東芝マイクロエレクトロニクス)
Toshiba Microelectronics Corp. (略称: TOSMEC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 楠 直樹 / Naoki Kusunoki / クスノキ ナオキ
第6著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 勝之 / Katsuyuki Fujita / フジタ カツユキ
第7著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 初田 幸輔 / Kosuke Hatsuda / ハツダ コウスケ
第8著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 大澤 隆 / Takashi Ohsawa / オオサワ タカシ
第9著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 伸俊 / Nobutoshi Aoki / アオキ ノブトシ
第10著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷本 弘吉 / Hiroyoshi Tanimoto / タニモト ヒロヨシ
第11著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 森門 六月生 / Mutsuo Morikado / モリカド ムツオ
第12著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 井納 和美 / Kazumi Inoh / イノウ カズミ
第13著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 浜本 毅司 / Takeshi Hamamoto / ハマモト タケシ
第14著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 仁田山 晃寛 / Akihiro Nitayama / ニタヤマ アキヒロ
第15著者 所属(和/英) (株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称: 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称: SoC Center, Toshiba)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2006-04-13 11:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2006-5 
巻番号(vol) IEICE-106 
号番号(no) no.2 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2006-04-06 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会