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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-03-03 13:00 60GHz帯0.4V，5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC 西川健二郎・榎木孝知・杉谷末広・○豊田一彦（NTT） エレソ技報アーカイブへのリンク：  MW2005-180 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では低消費電力な60GHz帯低雑音増幅器（LNA）について報告する．本LNAに用いたデバイスは光通信向け高速ディジタル回路用に開発し，商用化している0.1μm InP HEMTである．試作した2段LNA MMICはゲート幅50μmのInP HEMTデバイス2個とコプレーナ線路で構成しており，チップサイズは0.9mm^2である．0.4Vの動作電圧において，60GHzにおける雑音指数2.86dB，利得12.3dBを達成している．この時の消費電力は5.6mWと超低消費電力であった．また，入力IP3は-9dBm，3dB帯域幅は44.6GHz～67.2GHzと良好な特性を得た．本報告では，InP HEMTデバイスがミリ波高速無線通信用の低電圧・低消費電力MMICの実現に有効であることを示す． |
| （英） | This paper demonstrates the low-power operation of an InP HEMT 60-GHz band low-noise amplifier (LNA) MMIC. The device used here is a commercial 0.1 um InP HEMT developed for high-speed digital ICs. The fabricated two-stage LNA MMIC, chip size of 0.9 mm^2, employs two 50 um gate-width InP HEMTs and coplanar waveguides. Under 0.4 V supply voltage operation, the MMIC achieves a noise figure of 2.86 dB at 60 GHz with an associated gain of 12.3 dB. The power dissipation of the MMIC was only 5.6 mW. The input IP3 was -9 dBm at 60 GHz. A 3-dB bandwidth of 44.6 GHz to 67.2 GHz was also achieved. These results indicate the InP HEMT technology has a great potential for the low-voltage and low-power ICs that are required for future millimeter-wave high-speed wireless applications. | |
| キーワード | （和） | 低消費電力 / 低雑音増幅器 / コプレーナ型MMIC / InP HEMT / / / / |
| （英） | low-power consumption / low-noise amplifier / coplanar MMIC / InP HEMT / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 626, MW2005-180, pp. 13-18, 2006年3月. | |
| 資料番号 | MW2005-180 | |
| 発行日 | 2006-02-24 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2005-180 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | RCS AP WBS SR MW MoNA |
| 開催期間 | 2006-03-01 - 2006-03-03 |
| 開催地（和） | YRP |
| 開催地（英） | YRP |
| テーマ（和） | 移動通信ワークショップ |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2006-03-RCS-AP-WBS-SR-MW-MoMuC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 60GHz帯0.4V，5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 0.4 V, 5.6 mW InP HEMT V-band Low-Noise Amplifier MMIC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低消費電力 / low-power consumption |
| キーワード(2)（和/英） | 低雑音増幅器 / low-noise amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | コプレーナ型MMIC / coplanar MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | InP HEMT / InP HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西川 健二郎 / Kenjiro Nishikawa / ニシカワ ケンジロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榎木 孝知 / Takatomo Enoki / エノキ タカトモ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉谷 末広 / Suehiro Sugitani / スギタニ スエヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊田 一彦 / Ichihiko Toyoda / トヨダ イチヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第4著者 |
| 発表日時 | 2006-03-03 13:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2005-180 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.626 |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-02-24 (MW) |
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