講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-03-03 14:00
並列化FET共振器を用いたミリ波高耐電力MMICスイッチ ○半谷政毅・西野 有・宮口賢一・檜枝護重・遠藤邦浩・宮崎守泰(三菱電機) エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2005-183 |
抄録 |
(和) |
ミリ波帯において,低損失・高耐電力な特性を有するMMICスイッチを開発した.我々は,ピンチオフ状態におけるFETの並列抵抗値がゲート幅のほぼ2乗に反比例することを実験的に明らかにした.その関係を用いると,ゲート幅の小さいFET共振器を並列化することで,FETの総ゲート幅,共振周波数を変えることなくQ値の高いFET共振器を実現することができる.FET共振器を用いたスイッチの耐電力はFETの総ゲート幅で決まるので,必要な総ゲート幅を有する並列化FET共振器をスイッチに適用すると,高い耐電力を維持したまま低損失な特性を実現することができる.並列化共振器を用いたMMICスイッチを試作し,32GHzにおいて通過損失2.86dB,アイソレーション37dB,耐電力33dBmの良好な特性が得られ,本回路の有用性が確認できた. |
(英) |
A millimeter-wave low-loss and high-power terminated switch MMIC is developed. Our invented switch is designed based on a non-linear relationship between the parallel resistance of an FET and its gate width. Our measurements of the parallel resistance with different gate width have revealed that the resistance is inverse proportion to a square of the gate width. By using this relationship, we have found the fact that the multiple FET resonators with smaller gate width and high inductance element realize high-Q performance for the same resonant frequency. Since the power handling capability is determined by the total gate width, our switch circuit could reduce its insertion loss, keeping the high-power performance. To verify this methodology, we fabricated a switch MMIC. The MMIC had insertion loss of 2.86dB, isolation of 37dB at less than 33dBm of the input-power. |
キーワード |
(和) |
スイッチ / 低損失 / 高耐電力 / ミリ波 / FET / 共振器 / MMIC / |
(英) |
switch / low loss / high power / millimeter wave / FET / resonator / MMIC / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 626, MW2005-183, pp. 29-32, 2006年3月. |
資料番号 |
MW2005-183 |
発行日 |
2006-02-24 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2005-183 |