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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-02-17 15:40 RFスパッタリングによるアモルファスSi/SiO2超格子構造の作製とその発光特性 ○加藤裕司・種村 豪・星野ひとみ・三浦健太・花泉 修（群馬大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  OPE2005-152 |
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| 抄録 | （和） | RFスパッタリングによりアモルファスSi/SiO2 超格子を形成した．Si層及びSiO2層の厚さを制御することによりSiクラスターのサイズを変えた試料を作製し，その光学特性を比較検討した．試料の赤色発光ピークは，1100℃のアニールにより，Siの含有量に対して低エネルギー側（長波長側）にシフトする傾向を見せた．また，1150～1250 ℃のアニールによって，室温で紫外域の発光が発現することを見出した．紫外域におけるフォトルミネッセンス(PL) のピークの位置は3.4eV(波長0.37µm)，半値全幅(FWHM) は0.20eV であった． |
| （英） | We made a comparative study on luminescent properties of amorphous Si/SiO2 superlattices fabricated by using RF sputtering having various thickness of Si and SiO2 layers. The samples showed a tendency that their photoluminescence (PL) peaks shift to low photon energy for the Si content of the superlattice after annealing at 1100℃. Moreover, we found that they showed ultraviolet PL part at room temperature after annealing 1150℃ to 1250℃. The PL peak position was 3.4 eV and the full width half maximum(FWHM) was 0.20 eV. | |
| キーワード | （和） | 超格子 / 赤色発光 / 紫外発光 / アモルファスSi / SiO2 / RFスパッタ / / |
| （英） | superlattice / red photoluminescence / urtlaviolet photoluminescence / amorphous Si / SiO2 / RF sputtering / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 606, OPE2005-152, pp. 35-39, 2006年2月. | |
| 資料番号 | OPE2005-152 | |
| 発行日 | 2006-02-10 (OPE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2005-152 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
| 開催期間 | 2006-02-17 - 2006-02-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光波センシング、光波制御・検出、光計測、ニューロ、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2006-02-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RFスパッタリングによるアモルファスSi/SiO2超格子構造の作製とその発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of amorphous Si/SiO2 superlattices by using RF sputtering and their luminescence properties |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超格子 / superlattice |
| キーワード(2)（和/英） | 赤色発光 / red photoluminescence |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外発光 / urtlaviolet photoluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | アモルファスSi / amorphous Si |
| キーワード(5)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(6)（和/英） | RFスパッタ / RF sputtering |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 裕司 / Yuji Kato / カトウ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 群馬大学 (略称： 群馬大) Gunma University (略称： Gunma Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 種村 豪 / Takeshi Tanemura / タネムラ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 群馬大学 (略称： 群馬大) Gunma University (略称： Gunma Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星野 ひとみ / Hitomi Hoshino / ホシノ ヒトミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 群馬大学 (略称： 群馬大) Gunma University (略称： Gunma Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 健太 / Kenta Miura / ミウラ ケンタ |
| 第4著者 所属（和/英） | 群馬大学 (略称： 群馬大) Gunma University (略称： Gunma Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 花泉 修 / Osamu Hanaizumi / ハナイズミ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 群馬大学 (略称： 群馬大) Gunma University (略称： Gunma Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-02-17 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2005-152 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.606 |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2006-02-10 (OPE) |
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