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講演抄録/キーワード
講演名 2006-01-26 15:30
[招待講演]MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 ~ SOIを用いた素子作製と特性評価 ~
西口克彦小野行徳藤原 聡猪川 洋NTT)・高橋庸夫北大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-228 SDM2005-240
抄録 (和) MOSFET技術で作製した室温で動作する単一電子転送素子と高感度電荷検出器の複合デバイスについて報告する。転送素子は直列に接続された2つの細線FETで構成され、各FETを交互に開閉することで単一電子が電子蓄積部へと転送される。
ハーフピッチ50nmの作製技術とバイアス条件の最適化により室温での単一電子転送が可能となった。また、微小チャネルを有する電荷検出用FETを電子蓄積部に近接して配置することで単一電子検出が可能となり、0.005e/Hz^0.5@2Hzという高感度を得ることに成功した。高速な電子転送と長い電子保持を生かした応用例も示す。 
(英) A single-electron-based circuit, in which electrons are transferred one-by-one with a turnstile and subsequently detected with an electrometer, was fabricated on a silicon-on-insulator substrate. The turnstile, which is operated by opening and closing two metal-oxide-semiconductor field-effect transistors alternately, allows single-electron transfer at room temperature owing to electric-field-assisted shrinkage of the single-electron box. It also achieves fast single-electron transfer (less than 10 ns) and extremely long retention (more than 10^4 s). The electrometer provides high-charge-sensitivity detection (better than 0.005 e/Hz^0.5 at 2 Hz) because of the carefully designed layout of the circuit. We have applied these features to single-electron-based circuits.
キーワード (和) 単一電子転送 / 単一電子検出 / MOSFET / 室温 / 回路 / / /  
(英) single-electron transfer / single-electron detection / MOSFET / room temperature / circuit / / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 549, ED2005-228, pp. 23-28, 2006年1月.
資料番号 ED2005-228 
発行日 2006-01-19 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-228 SDM2005-240

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2006-01-26 - 2006-01-27 
開催地(和) 北海道大学 百年記念会館 大会議室 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 量子効果デバイス及び関連技術 
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2006-01-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 
サブタイトル(和) SOIを用いた素子作製と特性評価 
タイトル(英) Demonstration and application of MOSFET-based single-electron transfer and detection at room temperature 
サブタイトル(英) Fabrication using SOI and measurements of its characteristics 
キーワード(1)(和/英) 単一電子転送 / single-electron transfer  
キーワード(2)(和/英) 単一電子検出 / single-electron detection  
キーワード(3)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(4)(和/英) 室温 / room temperature  
キーワード(5)(和/英) 回路 / circuit  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西口 克彦 / Katsuhiko Nishiguchi / ニジグチ カツヒコ
第1著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野 行徳 / Yukinori Ono / オノ ノリユキ
第2著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ
第3著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 猪川 洋 / Hiroshi Inokawa / イノカワ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ
第5著者 所属(和/英) 北海道大学大学院 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-01-26 15:30:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2005-228, SDM2005-240 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.549(ED), no.551(SDM) 
ページ範囲 pp.23-28 
ページ数
発行日 2006-01-19 (ED, SDM) 


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