講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-12-16 11:15
PD-SOIの動的ボディ・バイアス制御を利用したブートストラップ型パス・トランジスタ方式 ○飯島正章・北村雅之・濱田健司・沼 昌宏(神戸大)・多田 章・前川繁登(ルネサステクノロジ) エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2005-197 |
抄録 |
(和) |
本稿では,論理回路の高速化と低消費電力化を両立するため,低電源電圧動作に適したブートストラップ型パス・トランジスタ方式に対してPD-SOIの動的ボディ・バイアス適用するActive Body-biasing Controlled(ABC)-Bootstrap PTL(Pass-Transistor Logic)を提案する.提案手法では,ブートストラップ回路によってトランジスタのボディへVDD以上のフォワード・バイアスを印加する.さらに,パス・トランジスタのゲート電圧を高めるために,従来のソース-ゲート間のカップリング容量CGSのみならず,ソース-ボディ間のカップリング容量CS-bodyも利用する点を特徴とする.提案手法を評価するため,XORゲートおよび4ビット加算器を設計し,0.18 μm PD-SOIプロセスでの実装,0.5 V電源電圧での動作を想定し,HSPICE回路シミュレーションを行った.シミュレーション結果より,速度を一定とした場合でABC-Bootstrap PTLにより40 % の電力削減効果が示された. |
(英) |
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キーワード |
(和) |
PD-SOI / ボディ・バイアス / パス・トランジスタ論理 / / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 476, ICD2005-197, pp. 31-36, 2005年12月. |
資料番号 |
ICD2005-197 |
発行日 |
2005-12-09 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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